元器件型号: | 1S1586 |
生产厂家: | TOSHIBA SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Silicon Epitaxial Planar Type |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:406K) |
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型号参数:1S1586参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | DO-35 |
包装说明 | O-XALF-W2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.70 |
风险等级 | 5.84 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 0.15 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 55 V |
最大反向恢复时间 | 0.002 µs |
子类别 | Rectifier Diodes |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |