2SD2012 [STMICROELECTRONICS]

NPN SILICON POWER TRANSISTOR; NPN硅功率晶体管
2SD2012
元器件型号: 2SD2012
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
NPN硅功率晶体管

晶体 晶体管 功率双极晶体管
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型号参数:2SD2012参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220F, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.68
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)25 W
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
Base Number Matches1