MG400J1US45
更新时间：2024-09-18 17:53:08
品牌：TOSHIBA
描述：TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
概述
规格参数
数据手册MG400J1US45 概述
TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor IGBT
MG400J1US45 规格参数
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 400 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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