RN1118MFV [TOSHIBA]
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal;
| 型号： | RN1118MFV |
| 厂家： | 
TOSHIBA |
| 描述： | TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal 开关 光电二极管 晶体管 |
| 文件： | 总8页 (文件大小：272K) |
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RN1114MFV～RN1118MFV
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN1114MFV, RN1115MFV, RN1116MFV, RN1117MFV, RN1118MFV
○スイッチング用
○インバータ用
単位: mm
1.2 ± 0.05
○インタフェース回路用
○ドライバ回路用
0.80 ± 0.05
1
z 超小型パッケージ (VESM) のため超高密度実装に適しています。
z バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減によ
る機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
3
2
z 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値を揃えています。
z RN2114MFV～RN2118MFV とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
1. ベース
2. エミッタ
3. コレクタ
VESM
形名
R1 (kΩ)
R2 (kΩ)
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
1
10
10
10
4.7
10
2.2
4.7
10
47
JEDEC
―
―
JEITA
東芝
2-1L1A
質量: 1.5 mg (標準)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
RN1114MFV
V
V
50
V
V
CBO
CEO
～1118MFV
50
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
5
推奨ランド寸法
6
エミッタ・ベース間電圧
V
V
7
15
EBO
0.5mm
25
0.45mm
コ レ ク タ 電 流
コ レ ク タ 損 失
I
100
mA
mW
°C
C
0.45mm
RN1114MFV
P
(注1)
150
C
0.4mm
～1118MFV
接
保
合
存
温
温
度
度
T
150
j
T
stg
−55 ～ 150
°C
注 1： FR4 基板実装時(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても､高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法)および
個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします
1
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
測定条件
= 50V, I = 0
最小
標準
最大
単位
RN1114MFV
I
V
V
V
V
V
V
V
―
―
―
―
―
―
―
―
100
500
nA
nA
CBO
CEO
CB
CE
EB
EB
EB
EB
EB
E
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
～1118MFV
I
= 50V, I = 0
―
B
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
RN1114MFV
～16MFV, 18MFV
RN1117MFV
RN1114MFV
～1118MFV
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
RN1114MFV
～1118MFV
RN1114MFV
～1118MFV
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
= 5V, I = 0
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
C
= 6V, I = 0
C
I
mA
= 7V, I = 0
C
EBO
= 15V, I = 0
C
= 25V, I = 0
C
50
30
―
―
―
―
―
直 流 電 流 増 幅 率
コレクタ・エミッタ間
h
V
= 5V, I = 10 mA
CE C
FE
V
I
= 5 mA, I = 0.25 mA
C B
0.1
0.3
V
V
CE (sat)
飽
和
電
圧
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
2.0
2.5
2.5
4.0
10.0
0.9
1.0
1.1
2.3
5.7
入 力 オ ン 電 圧
V
V
V
= 0.2V, I = 5 mA
I (ON)
CE
C
入 力 オ フ 電 圧
V
= 5V, I = 0.1 mA
C
V
I (OFF)
CE
ト ラ ン ジ シ ョ ン
f
T
V
V
= 10V, I = 5 mA
―
―
250
3.0
―
―
MHz
pF
CE
CB
C
周
波
数
コレクタ出力容量
C
ob
= 10V, I = 0, f = 1MHz
E
0.7
1.54
3.29
7
1.0
2.2
4.7
10
1.3
2.86
6.11
13
入
力
抵
抗
R
1
―
kΩ
32.9
―
47
61.1
―
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
―
―
抵
抗
比
率
R /R
―
―
―
1
2
―
―
―
―
2
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
IC - VI(ON)
IC - VI(ON)
RN1114MFV
RN1115MFV
100
10
1
100
10
1
エミッタ接地
VCE = 0.2V
エミッタ接地
VCE = 0.2V
-25
Ta = 100°C
-25
Ta = 100°C
25
25
0.1
0.1
0.1
1
10
0.1
1
10
VI(ON) ( V)
VI(ON) ( V)
入力オン電圧ꢀ
入力オン電圧ꢀ
IC - VI(ON)
IC - VI(ON)
RN1116MFV
RN1117MFV
100
10
1
100
10
1
エミッタ接地
VCE = 0.2V
エミッタ接地
VCE = 0.2V
Ta = 100°C
Ta = 100°C
-25
25
-25
25
0.1
0.1
0.1
1
10
VI(ON) ( V)
100
0.1
1
10
VI(ON) ( V)
100
入力オン電圧ꢀ
入力オン電圧ꢀ
IC - VI(ON)
RN1118MFV
100
10
1
エミッタ接地
VCE = 0.2V
Ta = 100°C
-25
25
0.1
1
10
100
VI(ON) ( V)
入力オン電圧ꢀ
3
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
IC - VI(OFF)
IC - VI(OFF)
RN1114MFV
RN1115MFV
10000
1000
100
10000
1000
100
エミッタ接地
VCE = 5V
-25
25
-25
Ta = 100°C
Ta = 100°C
25
エミッタ接地
VCE = 5V
10
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
VI(OFF) ( V)
VI(OFF) ( V)
入力オフ電圧ꢀ
入力オフ電圧ꢀ
IC - VI(OFF)
IC - VI(OFF)
RN1116MFV
RN1117MFV
10000
1000
100
10000
1000
100
エミッタ接地
VCE = 5V
エミッタ接地
VCE = 5V
Ta = 100°C
25
-25
25
Ta = 100°C
-25
10
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VI(OFF) ( V)
2.8
3.2
VI(OFF) ( V)
入力オフ電圧ꢀ
入力オフ電圧ꢀ
IC - VI(OFF)
RN1118MFV
10000
1000
100
エミッタ接地
VCE = 5V
Ta = 100°C
25
-25
10
1
2
3
4
5
6
VI(OFF) ( V)
入力オフ電圧ꢀ
4
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
hFE - IC
hFE - IC
RN1114MFV
RN1115MFV
1000
1000
100
10
エミッタ接地
VCE = 5V
エミッタ接地
VCE = 5V
Ta = 100°C
100
Ta = 100°C
25
25
-25
-25
10
1
10
100
100
100
1
10
100
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
hFE - IC
hFE - IC
RN1116MFV
RN1117MFV
1000
1000
100
10
エミッタ接地
VCE = 5V
エミッタ接地
VCE = 5V
Ta = 100°C
Ta = 100°C
100
25
-25
25
-25
10
1
1
10
1
10
100
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
hFE - IC
RN1118MFV
1000
エミッタ接地
VCE = 5V
100
Ta = 100°C
25
-25
10
1
10
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
5
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
VCE(sat) - IC
VCE(sat) - IC
RN1115MFV
RN1114MFV
1
1
エミッタ接地
IC/IB = 10
エミッタ接地
IC/IB = 10
Ta = 100°C
Ta = 100°C
0.1
0.1
25
25
-25
-25
0.01
0.01
1
10
100
1
10
100
IC (mA )
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
コレクタ電流ꢀ
VCE(sat) - IC
VCE(sat) - IC
RN1117MFV
RN1116MFV
1
1
エミッタ接地
IC/IB = 10
エミッタ接地
IC/IB = 10
Ta = 100°C
Ta = 100°C
0.1
0.1
25
25
-25
-25
0.01
0.01
1
10
100
1
10
100
IC (mA )
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
コレクタ電流ꢀ
VCE(sat) - IC
RN1118MFV
1
エミッタ接地
IC/IB = 10
Ta = 100°C
0.1
25
-25
0.01
1
10
100
IC (mA )
コレクタ電流ꢀ
6
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
現品表示方法
形名
現品表示
RN1114MFV
RN1115MFV
RN1116MFV
RN1117MFV
RN1118MFV
XQ
XS
XT
XU
XW
7
2009-04-20
RN1114MFV～RN1118MFV
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
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タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
当社は、適用可否に対する責任は負いません。
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電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
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う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
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接損害、結果的損害、特別損害、付随的損害、逸失利益、機会損失、休業損、データ喪失等を含むがこれ
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
• 本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本
製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
8
2009-04-20
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