TC514101J-80 [TOSHIBA]

4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM; 4194304 ×1位动态RAM
TC514101J-80
元器件型号: TC514101J-80
生产厂家: TOSHIBA SEMICONDUCTOR    TOSHIBA SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM
4194304 ×1位动态RAM

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型号参数:TC514101J-80参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.02
风险等级5.92
访问模式NIBBLE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.15 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.89 mm
Base Number Matches1