TLP181 概述
GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR 砷化镓红外发光二极管和光电晶体管 光耦合器
TLP181 规格参数
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | MINI FLAT, 11-4C1, SO-6/4 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.40.80.00 |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min: | 80 V | 配置: | SINGLE |
当前传输比率-最小值: | 50% | 标称电流传输比: | 50% |
最大暗电源: | 100 nA | 最大正向电流: | 0.02 A |
最大正向电压: | 1.3 V | 最大绝缘电压: | 3750 V |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 元件数量: | 1 |
最大通态电流: | 0.05 A | 最高工作温度: | 110 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 光电设备类型: | TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
最大功率耗散: | 0.2 W | 子类别: | Optocoupler - Transistor Outputs |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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