TLP181

更新时间:2024-09-18 02:16:35
品牌:TOSHIBA
描述:GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR

TLP181 概述

GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR 砷化镓红外发光二极管和光电晶体管 光耦合器

TLP181 规格参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:MINI FLAT, 11-4C1, SO-6/4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.40.80.00
风险等级:5.71其他特性:UL RECOGNIZED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:80 V配置:SINGLE
当前传输比率-最小值:50%标称电流传输比:50%
最大暗电源:100 nA最大正向电流:0.02 A
最大正向电压:1.3 V最大绝缘电压:3750 V
安装特点:SURFACE MOUNT元件数量:1
最大通态电流:0.05 A最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-55 °C光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散:0.2 W子类别:Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装:YESBase Number Matches:1

TLP181 数据手册

通过下载TLP181数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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