U1ZB12TE12L
更新时间：2024-09-18 17:58:08
品牌：TOSHIBA
描述：DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
概述
规格参数
数据手册U1ZB12TE12L 概述
DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor 瞬态抑制器
U1ZB12TE12L 规格参数
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.87 |
| 最大击穿电压： | 13.2 V | 最小击穿电压： | 10.8 V |
| 击穿电压标称值： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
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