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2SD2012 NPN硅功率晶体管 (NPN SILICON POWER TRANSISTOR)
.型号:   2SD2012
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描述: NPN硅功率晶体管
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
文件大小 :   131 K    
页数 : 5 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
2SD2012
东芝三极管
硅NPN三重DIFFUSED TYPE
2SD2012
音频功放应用
单位:mm
高直流电流增益:H
FE (1)
= 100 (分钟)
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 1.0 V(最大值)
高功率耗散:P
C
= 25瓦(TC = 25 ° C)
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
0.5
2.0
25
150
−55
150
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
°C
°C
2-10R1A
JEITA
东芝
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
重量:2.7克(典型值)。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-21
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