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2SK3742
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSIV )
2SK3742
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 2.2
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 3.5 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 720 V)
增强模型: V
th
= 4.0〜 5.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
900
900
±30
5
15
45
595
5
4.5
150
-55到150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
1 :门
2 :排水
3 :源
脉冲(T
=
1毫秒)
(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
2
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
43.6毫亨,我
AR
=
5.0 A,R
G
=
25
Ω
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
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2SK3742
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
5 A
1%, t
w
=
10
μs
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
⎪Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
3 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
I
G
=±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
720 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
3 A
V
DS
=
20 V,I
D
=
3 A
±30
900
4.0
1.5
典型值。
2.2
3.5
1150
20
110
100
140
40
130
25
11
14
最大
±10
100
5.0
2.5
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
66.7
Ω
V
DD
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
5 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
5 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
900
5.4
最大
5
15
−1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 :根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3742
产品型号(或缩写代码)
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日,安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
2SK3742
I
D
– V
DS
5
10
8
7.5
4
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.25
3
7
2
6
常见
来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
10
8
(A)
(A)
5
7.5
漏电流I
D
漏电流I
D
4
7.25
3
7
2
6.75
6.5
1
VGS
=
6 V
6.75
6.5
1
VGS
=
6 V
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
V
DS
(V)
10
常见的来源
Ta
= −55°C
20
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25℃
16
脉冲测试
(A)
8
VDS
=
20 V
脉冲测试
25
漏电流I
D
6
100
4
漏源电压
12
ID
=
5 A
8
3
4
2
1.5
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
⎪Y
fs
– I
D
正向转移导纳
⎪Y
fs
(S)
10
VDS
=
20 V
脉冲测试
1
100
25
R
DS ( ON)
– I
D
10
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
常见的来源
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
5
Ta
= −55°C
0.1
3
VGS
=
10 V�½�15V
0.01
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
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2SK3742
R
DS ( ON)
TC =
(A)
10
10
I
DR
– V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(
Ω)
常见的来源
脉冲测试
8
6
ID
=
5A
3
VGS
=
10 V
1.5
反向漏电流I
DR
1
4
2
10
3
0.1
0
VGS
=
0,
−1,1
V
0
−80
−40
0
40
80
120
160
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
8
V
th
TC =
常见的来源
西塞
栅极阈值电压
V
th
(V)
VDS
=
10 V
6
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
电容
C
1000
100
科斯
4
10
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
CRSS
2
1
0.1
1
10
100
0
−80
−40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
100
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
80
400
VDS
16
漏源电压
60
300
VDD
=
100 V
400
12
200
200
VGS
常见的来源
100
ID
=
5 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
0
0
10
20
30
40
0
4
8
40
20
0
0
40
80
120
160
200
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
4
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2SK3742
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗ř
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
单脉冲
0.01
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.25°C/W
2.78°C/W
0.01
0.001
10μ
100μ
1�½�
10�½�
100�½�
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
1000
E
AS
– T
ch
ID MAX(脉冲)
*
10
ID MAX(连续)
*
1毫秒
*
1
直流操作
Tc
=
25°C
100
μs
*
雪崩能量
E
AS
(兆焦耳)
800
(A)
600
漏电流I
D
400
0.1
*单非重复脉冲
Tc=25℃
曲线
线性
必须
BE
降额
IN
增加
200
0.01
1
温度。
VDSS最大
100
1000
10000
10
0
25
50
75
100
125
150
漏源电压V
DS
(V)
通道温度(初始)
T
ch
(°C)
B
VDSS
I
AR
V
DD
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V,L
=
43.6mH
V
DS
波形
15 V
−15
V
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
⋅ ⎜
B
2
VDSS
VDD
5
2009-09-29
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