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![]() 2SK3743 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV ) 2SK3743 开关稳压器的应用 • • • • 低漏源导通电阻,R DS ( ON) = 0.29 Ω (典型值)。 高正向转移导纳: | Y fs | = 5.8 S(典型值)。 低漏电流:I DSS = 100 μA (最大值) (Ⅴ DSS = 450 V) 增强型: V th = 3.0〜 5.0 V(V DS = 10 V,I D = 1 mA)的 单位:mm 绝对最大额定值 (大 = 25°C) 特征 漏源电压 漏,栅极电压(R GS = 20 kΩ) 栅源电压 漏电流 DC 脉冲 (注1 ) (注1 ) 符号 V DSS V DGR V GSS I D I DP P D E AS I AR E AR T ch T 英镑 等级 450 450 ±30 13 52 40 350 13 4.0 150 −55 150 单位 V V V A W mJ A mJ °C °C 漏极功耗(TC = 25°C) 单脉冲雪崩能量 (注2 ) 雪崩电流 重复雪崩能量(注3 ) 通道温度 存储温度范围 JEDEC JEITA 东芝 ― SC-67 2-10R1B 重1.9克(典型值) 注意: 重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化 温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即 工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的 经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性 方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。 热特性 特征 耐热性,信道到外壳 耐热性,信道至环境 符号 R TH( CH-C ) R 第(章-a)的 最大 3.125 62.5 单位 ° C / W ° C / W 注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。 注2 : V DD = 90 V,T ch = 25 ° C(初始) ,L = 3.46 mH的,R G = 25 Ω, I AR = 13 A 注3 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。 此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。 1 2009-09-29
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