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| SN74HC161NSRE4 SN74HC161PWR SN74HC161DE4 SN74HC161NSR SN74HC161PW SN74HC161D SN74HC161DT SN74HC161PWE4 SN74HC161DBR SN74HC161PWTE4 | ||||||||||
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 2SK3743 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ） 2SK3743 开关稳压器的应用 • • • • 低漏源导通电阻，R DS （ ON） = 0.29 Ω （典型值）。 高正向转移导纳： | Y fs | = 5.8 S（典型值）。 低漏电流：I DSS = 100 μA （最大值） （Ⅴ DSS = 450 V) 增强型： V th = 3.0〜 5.0 V（V DS = 10 V，I D = 1 mA）的 单位：mm 绝对最大额定值 （大 = 25°C) 特征 漏源电压 漏，栅极电压（R GS = 20 kΩ) 栅源电压 漏电流 DC 脉冲 （注1 ） （注1 ） 符号 V DSS V DGR V GSS I D I DP P D E AS I AR E AR T ch T 英镑 等级 450 450 ±30 13 52 40 350 13 4.0 150 −55 150 单位 V V V A W mJ A mJ °C °C 漏极功耗（TC = 25°C) 单脉冲雪崩能量 （注2 ） 雪崩电流 重复雪崩能量（注3 ） 通道温度 存储温度范围 JEDEC JEITA 东芝 ― SC-67 2-10R1B 重1.9克（典型值） 注意： 重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化 温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即 工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的 经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性 方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。 热特性 特征 耐热性，信道到外壳 耐热性，信道至环境 符号 R TH（ CH-C ） R 第（章-a）的 最大 3.125 62.5 单位 ° C / W ° C / W 注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。 注2 ： V DD = 90 V，T ch = 25 ° C（初始） ，L = 3.46 mH的，R G = 25 Ω, I AR = 13 A 注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。 此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。 1 2009-09-29
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