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2SK3743
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3743
开关稳压器的应用
•
•
•
•
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.29
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 5.8 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DSS
= 450 V)
增强型： V
th
= 3.0〜 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
13
52
40
350
13
4.0
150
−55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.46 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
13 A
注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2009-09-29
2SK3743
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
⎪Y
fs
⎪
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
10 V
0V
R
L
=
33.3
Ω
V
DD
∼
200 V
−
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
∼
360 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
13 A
−
税
≤
%, t
w
=
10
μs
⎯
⎯
⎯
⎯
56
34
19
15
10
Ω
I
D
=
6 A
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
=
10
μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
450 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
6 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
6 A
民
⎯
±30
⎯
450
3.0
⎯
3.0
⎯
⎯
典型值。
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.29
5.8
1600
17
220
28
最大
±10
⎯
100
⎯
5.0
0.4
⎯
⎯
⎯
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
⎯
⎯
产量
⎯
⎯
⎯
ns
V
GS
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
on
⎯
⎯
45
10
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
⎯
⎯
I
DR
=
13 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
13 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
典型值。
⎯
⎯
⎯
300
3.4
最大
13
52
−1.7
⎯
⎯
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3743
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
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2009-09-29
2SK3743
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
15
6
7.0
20
10
7.5
7.25
16
15
10
8.5
I
D
– V
DS
8.25
8
12
7.5
8
7
4
6.5
VGS
=
6 V
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
漏电流I
D
(A)
4
6.5
2
VGS
=
6.0 V
0
0
漏电流I
D
(A)
10
2
4
6
8
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
30
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
V
DS
(V)
25
8
漏电流I
D
(A)
20
漏源电压
6
ID
=
13 A
4
10
100
Tc
= −55°C
2
6
3
0
3
6
9
12
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
⎪Y
fs
⎪
– I
D
(Ω)
50
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS （ ON）
– I
D
(S)
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
Tc
= −55°C
25
100
漏源电阻R
DS （ ON）
正向转移导纳
⎪Y
fs
⎪
1
1
VGS
=
10 V
15
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2009-09-29
2SK3743
R
DS （ ON）
TC =
1.0
常见的来源
0.8
6
VGS
=
10 V
脉冲测试
ID
=
13 A
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.6
3
0.4
反向漏电流I
DR
(A)
1
10
3
5
1
VGS
=
0,
−1
V
−0.6
−0.8
−1
−1.2
0.2
0
−80
−40
0
40
80
120
160
0.1
0
−0.2
−0.4
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
6
V
th
TC =
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
5
西塞
1000
电容C
（PF ）
4
100
科斯
3
2
常见
10来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
0.1
1
10
CRSS
1
0
−80
100
1000
−40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
60
500
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
13 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
20
漏极功耗
P
D
(W)
V
DS
(V)
400
VDS
VDD
=
90 V
16
40
漏源电压
360
200
VGS
180
8
20
100
4
0
0
40
80
120
160
0
0
10
20
30
40
0
50
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2009-09-29
栅源电压
300
12
V
GS
(V)
2SK3743
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗ř
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
单脉冲
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
3.125°C/W
0.01 0.01
0.001
10μ
100μ
1�½�
10�½�
100�½�
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
50
30
400
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS （兆焦耳）
ID最多
（连续）
1毫秒
*
300
100
μs
*
10
(A)
200
5
3
漏极电流ID
100
1
0.5
0.3
直流操作
Tc
=
25°C
0
25
*
单一不重复的脉冲
50
75
100
125
150
通道温度（初始）总胆固醇（ ° C）
0.1
0.05
0.03
3
Tc
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
10
30
100
VDSS最大
300
1000
15 V
−15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
3.46 mH的
电波表
Ε
AS
=
⎛
⎞
1
B VDSS
⎟
⋅
L
⋅
I2
⋅ ⎜
⎜
B
2
−
VDD
⎟
⎝
VDSS
⎠
5
2009-09-29
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