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TLYU1100  TLSU1100  TLPGU1100  
JDV2S05E_07 硅外延平面型VCO的UHF频段 (Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band)
.型号:   JDV2S05E_07
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描述: 硅外延平面型VCO的UHF频段
Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band
文件大小 :   127 K    
页数 : 3 页
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品牌   TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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100%
JDV2S05E
东芝二极管
硅外延平面型
JDV2S05E
VCO的UHF频段
小型封装
高电容比:C
1V
/C
4V
= 1.9 (典型值)。
低串联电阻值:R
s
= 0.30
(典型值)。
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
10
125
−55~125
单位
V
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
JEDEC
JEITA
东芝
1-1G1A
重量: 0.0014克(典型值)。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
μA
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V,F
=
1兆赫
V
R
=
4 V,F
=
1兆赫
V
R
=
1 V,F
=
470兆赫
测试条件
10
3.85
1.94
1.7
典型值。
4.2
2.2
1.9
0.3
最大
3
4.55
2.48
0.5
单位
V
nA
pF
Ω
注意:信号电平,当电容进行测量。 V
SIG
=
100毫伏
RMS
记号
FE
1
2007-11-01
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