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![]() JDV2S05E 东芝二极管 硅外延平面型 JDV2S05E VCO的UHF频段 • • • 小型封装 高电容比:C 1V /C 4V = 1.9 (典型值)。 低串联电阻值:R s = 0.30 Ω (典型值)。 单位:mm 绝对最大额定值 (大 = 25°C) 特征 反向电压 结温 存储温度范围 符号 V R T j T 英镑 等级 10 125 −55~125 单位 V °C °C 注:在重负载下连续使用的(如高的应用 温度/电流/电压和在显著变化 温度等)可能会导致此产品在减少 可靠性显著即使工作条件(即工作 温度/电流/电压等)内的绝对最大 收视率。 请在审查东芝设计相应的可靠性 半导体可靠性手册( “处理 注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人 可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率, 等)。 JEDEC JEITA 东芝 ― ― 1-1G1A 重量: 0.0014克(典型值)。 电气特性 (大 = 25°C) 特征 反向电压 反向电流 电容 电容比 串联电阻 符号 V R I R C 1V C 4V C 1V /C 4V r s I R = 1 μA V R = 10 V V R = 1 V,F = 1兆赫 V R = 4 V,F = 1兆赫 ⎯ V R = 1 V,F = 470兆赫 测试条件 民 10 ⎯ 3.85 1.94 1.7 ⎯ 典型值。 ⎯ ⎯ 4.2 2.2 1.9 0.3 最大 ⎯ 3 4.55 2.48 ⎯ 0.5 单位 V nA pF ⎯ Ω 注意:信号电平,当电容进行测量。 V SIG = 100毫伏 RMS 记号 FE 1 2007-11-01
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