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JDV2S05E
东芝二极管
硅外延平面型
JDV2S05E
VCO的UHF频段
•
•
•
小型封装
高电容比：C
1V
/C
4V
= 1.9 （典型值）。
低串联电阻值：R
s
= 0.30
Ω
（典型值）。
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
10
125
−55~125
单位
V
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件（即工作
温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1-1G1A
重量： 0.0014克（典型值）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
μA
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V，F
=
1兆赫
V
R
=
4 V，F
=
1兆赫
⎯
V
R
=
1 V，F
=
470兆赫
测试条件
民
10
⎯
3.85
1.94
1.7
⎯
典型值。
⎯
⎯
4.2
2.2
1.9
0.3
最大
⎯
3
4.55
2.48
⎯
0.5
单位
V
nA
pF
⎯
Ω
注意：信号电平，当电容进行测量。 V
SIG
=
100毫伏
RMS
记号
FE
1
2007-11-01
JDV2S05E
C
V
– V
R
10
f
=
1兆赫
VSIG
=
百米Vrms的
0.5
0.6
r
s
– V
R
f
=
470兆赫
电容C
V
（PF ）
(Ω)
串联电阻r
s
1
0
1
3
4
5
6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
2
7
1
10
反向电压
VR
(V)
反向电压
VR
(V)
2
2007-11-01
JDV2S05E
限制产品使用
•
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
•
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
•
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
•
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
•
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
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•
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
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2007-11-01
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