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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| RD33M RD30JSAB1 B84298A0046L098 MURD320T4 B84298A0042L024 MB8441-45PFQ RD30EB5 RD30JSAB B84298A0044L010 B84111-A-A60 | ||||||||||
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 JDV2S05E 东芝二极管 硅外延平面型 JDV2S05E VCO的UHF频段 • • • 小型封装 高电容比：C 1V /C 4V = 1.9 （典型值）。 低串联电阻值：R s = 0.30 Ω （典型值）。 单位：mm 绝对最大额定值 （大 = 25°C) 特征 反向电压 结温 存储温度范围 符号 V R T j T 英镑 等级 10 125 −55~125 单位 V °C °C 注：在重负载下连续使用的（如高的应用 温度/电流/电压和在显著变化 温度等）可能会导致此产品在减少 可靠性显著即使工作条件（即工作 温度/电流/电压等）内的绝对最大 收视率。 请在审查东芝设计相应的可靠性 半导体可靠性手册（ “处理 注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人 可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率， 等）。 JEDEC JEITA 东芝 ― ― 1-1G1A 重量： 0.0014克（典型值）。 电气特性 （大 = 25°C) 特征 反向电压 反向电流 电容 电容比 串联电阻 符号 V R I R C 1V C 4V C 1V /C 4V r s I R = 1 μA V R = 10 V V R = 1 V，F = 1兆赫 V R = 4 V，F = 1兆赫 ⎯ V R = 1 V，F = 470兆赫 测试条件 民 10 ⎯ 3.85 1.94 1.7 ⎯ 典型值。 ⎯ ⎯ 4.2 2.2 1.9 0.3 最大 ⎯ 3 4.55 2.48 ⎯ 0.5 单位 V nA pF ⎯ Ω 注意：信号电平，当电容进行测量。 V SIG = 100毫伏 RMS 记号 FE 1 2007-11-01
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