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JDV2S05E
东芝二极管
硅外延平面型
JDV2S05E
VCO的UHF频段
小型封装
高电容比:C
1V
/C
4V
= 1.9 (典型值)。
低串联电阻值:R
s
= 0.30
(典型值)。
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
10
125
−55~125
单位
V
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
JEDEC
JEITA
东芝
1-1G1A
重量: 0.0014克(典型值)。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
μA
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V,F
=
1兆赫
V
R
=
4 V,F
=
1兆赫
V
R
=
1 V,F
=
470兆赫
测试条件
10
3.85
1.94
1.7
典型值。
4.2
2.2
1.9
0.3
最大
3
4.55
2.48
0.5
单位
V
nA
pF
Ω
注意:信号电平,当电容进行测量。 V
SIG
=
100毫伏
RMS
记号
FE
1
2007-11-01
JDV2S05E
C
V
– V
R
10
f
=
1兆赫
VSIG
=
百米Vrms的
0.5
0.6
r
s
– V
R
f
=
470兆赫
电容C
V
(PF )
(Ω)
串联电阻r
s
1
0
1
3
4
5
6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
2
7
1
10
反向电压
VR
(V)
反向电压
VR
(V)
2
2007-11-01
JDV2S05E
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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2007-11-01
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