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MK3PD-5-I  75S-073+12  MAX706EUA  PDMB75E6  SCN2652AC2F40  SUP-C6G-E  MAX8643AETV+  PD150S8  PSYD17512  PSCH75  
MP4513 东芝大功率晶体管模块硅NPN三重扩散型( 1达林顿功率晶体管4 ) (TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1))
.型号:   MP4513
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描述: 东芝大功率晶体管模块硅NPN三重扩散型( 1达林顿功率晶体管4 )
TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1)
文件大小 :   141 K    
页数 : 6 页
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品牌   TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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100%
MP4513
东芝大功率晶体管模块硅NPN三重扩散型( 1达林顿功率晶体管4 )
MP4513
高功率开关应用。
锤驱动器,脉冲马达驱动器和感性负载
切换。
·
·
·
·
·
与散热片分离的带领( SIP 12引脚)封装
高集电极耗散功率( 4设备操作)
: P
T
= 5 W( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
= 5 A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 1000 (分钟) (V
CE
= 3 V,I
C
= 3 A)
二极管包括用于吸收回扫电压。
工业应用
单位:mm
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1设备操作, TA = 25 ° C)
集电极电源
耗散
( 4设备操作)
隔离电压
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
P
T
V
ISOL
T
j
T
英镑
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
100
100
5
5
8
0.1
3.0
5.0
W
25
1000
150
−55
150
V
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-32B1A
重量:9.6克(典型值)。
阵列配置
2
3
4
9
10
11
1
5
8
12
6
R1 R2
R1
5 kΩ
R2
150
7
1
2002-11-20
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