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TC74VHC373F/FT/FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74VHC373F,TC74VHC373FT,TC74VHC373FK
八D型锁存器具有三态输出
该TC74VHC373是一种先进的高速CMOS八路
与3态输出与制造硅栅锁
C
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
双极肖特基TTL ,同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型锁存器由一个锁存使能输入控制
(LE)和一个输出使能输入端(
OE
).
OE
输入为高时, 8输出处于高
阻抗状态。
输入保护电路,保证了0〜 5.5 V即可
施加到输入引脚,而不考虑电源电压。
这种装置可被用于接口5 V至3 V系统和两个
供给系统,如后备电池。该电路可以防止
设备损坏,由于不匹配的电源电压和输入电压。
TC74VHC373F
TC74VHC373FT
特点
高速:吨
pd
= 5.0 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
μA
(最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
提供所有输入掉电保护。
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC ( OPR )
= 2〜 5.5 V
低噪音: V
OLP
= 0.9 V(最大值)
引脚和功能与74ALS373兼容
TC74VHC373FK
重量
SOP20-P-300-1.27A
TSSOP20-P-0044-0.65A
VSSOP20-P-0030-0.50
0.22克(典型值)。
0.08克(典型值)。
:0.03克(典型值)。
1
2007-10-01
TC74VHC373F/FT/FK
引脚分配
IEC逻辑符号
(1)
(11)
(3)
(4)
(7)
(8)
(13)
(14)
(17)
(18)
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
V
CC
OE
LE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
EN
C1
1D
(2)
(5)
(6)
(9)
(12)
(15)
(16)
(19)
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
GND 10
( TOP VIEW )
真值表
输入
OE
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
产量
Z
Q
n
L
H
H
L
L
L
X :无关
Z:高阻
Q
n
: Q输出被锁存于当LE的输入取为低逻辑电平的时间。
系统框图
D0
3
D
4
D
D1
7
D
D2
8
D
D3
13
D
D4
14
D
D5
17
D
D6
18
D
D7
LE
11
l问
l问
l问
l问
l问
l问
l问
l问
OE
1
2
Q0
5
Q1
6
Q2
9
Q3
12
Q4
15
Q5
16
Q6
19
Q7
2
2007-10-01
TC74VHC373F/FT/FK
绝对最大额定值(注)
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
−0.5
7.0
−0.5
7.0
−0.5
到V
CC
+ 0.5
−20
±20
±25
±75
180
−65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注意:
任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
工作范围
(注
)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
DT / DV
等级
2.0〜5.5
0至5.5
0到V
CC
−40
85
0到100 (Ⅴ
CC
= 3.3 ± 0.3 V)
为0〜20 (Ⅴ
CC
= 5 ± 0.5 V)
单位
V
V
V
°C
NS / V
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到无论是V
CC
或GND 。
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TC74VHC373F/FT/FK
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
高级别输入
电压
2.0
V
IH
3.0以
5.5
2.0
V
IL
3.0以
0.5
2.0
I
OH
=
−50 μA
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
−4
mA
I
OH
=
−8
mA
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
I
OL
= 50
μA
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
三态输出
Ø FF-态电流
输入漏
当前
静态电源
当前
I
OZ
I
IN
I
CC
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= V
CC
或GND
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
1.50
V
CC
×
0.7
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
TA = 25°C
典型值。
2.0
3.0
4.5
0.0
0.0
0.0
最大
0.50
V
CC
×
0.3
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.25
TA =
−40
至85℃
1.50
V
CC
×
0.7
1.9
2.9
4.4
2.48
3.80
最大
0.50
V
CC
×
0.3
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±2.50
μA
V
V
V
V
单位
低电平输入
电压
0至5.5
5.5
±0.1
4.0
±1.0
40.0
μA
μA
时序要求
(输入:吨
r
= t
f
3 = NS)
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
最小脉冲宽度
( LE)的
最小建立时间
t
瓦特(H)的
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
TA = 25°C
典型值。
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
TA =
−40
to
85°C
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
ns
单位
t
s
ns
最小保持时间
t
h
ns
4
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TC74VHC373F/FT/FK
AC电气特性
(输入:吨
r
= t
f
3 = NS)
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
传播延迟
时间
( LE- Q)的
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
C
L
(PF )
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
15
50
50
50
50
50
(注2 )
TA = 25°C
典型值。
7.0
9.5
4.9
6.4
7.3
9.8
5.0
6.5
7.3
9.8
5.5
7.0
9.5
6.5
4
6
27
最大
11.0
14.5
7.2
9.2
11.4
14.9
7.2
9.2
11.4
14.9
8.1
10.1
13.2
9.2
1.5
1.0
10
TA =
−40
至85℃
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
13.0
16.5
8.5
10.5
13.5
17.0
8.5
10.5
13.5
17.0
9.5
11.5
15.0
10.5
1.5
1.0
10
ns
ns
ns
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
(D- Q)的
t
PLH
t
PHL
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
三态输出使能
时间
t
PZL
t
PZH
3.3 ± 0.3
R
L
= 1 kΩ
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
三态输出禁用
时间
输出到输出偏斜
输入电容
输出电容
功耗
电容
t
PLZ
t
PHZ
t
OSLH
t
OSHL
C
IN
C
OUT
C
PD
R
L
= 1 kΩ
(注1 )
ns
pF
pF
pF
注1 :参数通过设计保证。
t
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|
注2 :C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC ( OPR )
= C
PD
·V
CC
·f
IN
+ I
CC
/ 8 (每锁存器)
而全碳
PD
ñ件时。的闩锁操作可通过下面的等式来获得:
C
PD
(总) = 14 + 13 ·N
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2007-10-01
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