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TK15H50C 场效应晶体管的硅N沟道MOS型(ヰ-MOS VI ) (Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (ヰ-MOS VI))
.型号:   TK15H50C
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描述: 场效应晶体管的硅N沟道MOS型(ヰ-MOS VI )
Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (ヰ-MOS VI)
文件大小 :   512 K    
页数 : 6 页
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品牌   TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
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100%
TK15H50C
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π型MOS VI)的
TK15H50C
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻
低漏电流
增强型
: R
DS ( ON)
= 0. 33
(典型值)。
单位:mm
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 8.5 S(典型值)。
: I
DSS
= 100
µA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 500 V)
: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V , I45
D
= 1 mA)的
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
15
60
150
765
15
15
150
−55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
1 :门
2 :漏极(散热片)
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
重量:3.8克(典型值)。
漏极功耗( TC = 25 ° C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至
环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.833
50
单位
° C / W
° C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 5.78 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 15 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
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2006-11-06
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