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TK15H50C
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π型MOS VI)的
TK15H50C
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻
低漏电流
增强型
: R
DS ( ON)
= 0. 33
(典型值)。
单位:mm
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 8.5 S(典型值)。
: I
DSS
= 100
µA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 500 V)
: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V , I45
D
= 1 mA)的
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
15
60
150
765
15
15
150
−55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
1 :门
2 :漏极(散热片)
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
重量:3.8克(典型值)。
漏极功耗( TC = 25 ° C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至
环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.833
50
单位
° C / W
° C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 5.78 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 15 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
3
1
2006-11-06
TK15H50C
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
±30
500
2.0
4.0
典型值。
0.33
8.5
2450
15
220
50
最大
±10
100
4.0
0.4
pF
单位
µA
V
µA
V
V
S
开启时间
开关时间
下降时间
90
ns
45
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
175
48
26
22
nC
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
(注1 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 15 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 15 A,V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
典型值。
1050
13
最大
15
60
−1.7
单位
A
A
V
ns
µC
记号
东芝
TK15H50C
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线表示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-06
TK15H50C
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
6
20
10
I
D
– V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
6
5.25
4
5
2
4.75
4.5
VGS
=
4 V
0
0
1
2
3
4
5
漏电流I
D
(A)
8
16
12
6
5.75
8
5.5
5.25
4
5
4.75
4.5
0
0
10
20
30
VGS
=
4 V
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
Tc
= −55°C
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
40
(V)
8
25
V
DS
漏源电压
6
15
4
8
2
ID
=
4 A
0
0
30
100
20
10
0
0
2
4
6
8
10
4
8
12
16
20
栅源电压V
GS
(V)
栅源电压V
GS
(V)
⎪Y
fs
⎪ −
I
D
(S)
100
1
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
I
D
正向转移导纳
⎪Y
fs
Tc
= −55°C
25
10
100
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
VGS
=
10 V
15
1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-06
TK15H50C
R
DS ( ON)
TC =
1.0
I
DR
V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0.8
反向漏电流I
DR
(A)
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
10
0.6
ID
=
15 A
0.4
8
4
0.2
1
10
5
3
1
VGS
=
0,
−1
V
−0.6
−0.8
−1.0
−1.2
0
−80
−40
0
40
80
120
160
0.1
0
−0.2
−0.4
外壳温度
TC ( ℃)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
西塞
V
th
Tc
栅极阈值电压V
th
(V)
(PF )
4
1000
电容C
3
科斯
2
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
1
CRSS
100
0
−80
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
−40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
Tc
200
500
动态输入/输出特性
V
DS
(V)
常见的来源
ID
=
15 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
20
PD
150
400
400
16
漏源电压
漏极功耗
300
VDS
=
100 V
200
400
12
100
200
200
8
50
100
VGS
VDS
=
100 V
4
0
0
0
40
80
120
160
200
0
20
40
60
80
0
100
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
4
2006-11-06
栅源电压V
GS
(V)
(W)
TK15H50C
r
th
t
w
10
归瞬态热阻抗
1
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10μ
0.01
100μ
1m
10m
100m
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
0.833°C/W
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
1000
1000
E
AS
– T
ch
100
ID MAX(脉冲)
*
ID MAX(连续)
100
µs
*
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
1000
800
I
D
(A)
10
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
1毫秒
*
600
1
400
*单脉冲TA = 25 ℃
0.1
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
200
VDSS最大
0
25
0.01
100
50
75
100
125
150
漏源电压
V
DS
(V)
通道温度(初始)T
ch
(°C)
15 V
−15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
测试电路
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
⋅ ⎜
B
2
VDD
VDSS
V
DS
R
G
=
25
V
DD
=
90 V,L
=
5.78 mH的
5
2006-11-06
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