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TQHBT3 的InGaP HBT代工服务 (InGaP HBT Foundry Service)
.型号:   TQHBT3
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描述: 的InGaP HBT代工服务
InGaP HBT Foundry Service
文件大小 :   120 K    
页数 : 6 页
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品牌   TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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100%
生产工艺
的InGaP HBT代工服务
特点
金属2 - 4UM
TQHBT3
MIM
金属0
隔离植入
电介质
金属1 - 在2um
电介质
E
B
C
辐射源
金属1 - 在2um
B
C
NICR
BASE
集热器
副署长
缓冲&底
TQHBT3工艺横截面
概述
TriQuint新型TQHBT3过程是一个高度可靠的InGaP
HBT工艺与三级互连金属和
先进设备,最先进的设备性能。厚金属在互连
nects和高品质的无源器件整合推广。厚
金属互连,从而促进提高热MAN-
理,以及高密度电容保持芯片尺寸小。
的MOCVD外延工艺被用于生长有源
层。碳掺杂基地的InGaP发射被利用
对于高的RF性能,高可靠性的一致。 DE-
利用3微米发射极宽度的标志具有的性能
以前-2-微米发射器,但与可靠性和耐用性
与更广泛的发射器相关联。精密镍铬电阻
高值的MIM电容器都包括在内。三个金属层
被封装在一个高性能的电介质,它允许
布线的灵活性和塑料包装简洁。
2-和3-微米发射器宽度
>22分贝MAG @ 6 GHz的;与3-嗯
发射器
放大器坚固:驻波比70 : 1
@ 5 V电源
高线性度功率放大器应用
的InGaP发射器处理高重
责任和热稳定性
基地腐蚀停止均匀
MOCVD外延
高密度互连;
2全球,本地1
超过600微米的总厚度
介电金属封装
厚的金属互连:
增强型热管理
最小模具尺寸
有效的基极平衡的马克西 -
妈妈增益
150毫米晶片
高Q值无源器件
镍铬薄膜电阻器
大容量的电容&叠放
电容器
背面的通孔可选
验证模型和设计
支持
应用
功率放大器
驱动放大器
宽带,通用
放大器器
TriQuint半导体
2300 NE布鲁克伍德PKWY
俄勒冈州Hillsboro市97124
半导体的通信
www.triquint.com
第6 1 ; 1.1版2005年2月8日
电话: 503-615-9000
传真: 503-615-8905
电子邮件: info@triquint.com
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