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M61116HFSN  M61112JFCN  M61118JFCN  M6111FJTSN  M61121GFCN  M61112KTSN  M6111FKTCN  M6111FPFSN  M6112FPTSN  M6112FPFCN  
2SD886 塑料封装晶体管 (Plastic-Encapsulated Transistors)
.型号:   2SD886
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描述: 塑料封装晶体管
Plastic-Encapsulated Transistors
文件大小 :   99 K    
页数 : 2 页
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品牌   TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
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100%
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
TO- 126塑料封装晶体管
2SD886
晶体管( NPN )
TO—126
特点
功耗
P
厘米:
1
W(环境温度Tamb = 25℃)
1.发射器
2.收集
3. BASE
集电极电流
3
A
I
厘米:
集电极 - 基极电压
50
V
V
( BR ) CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CE
=
2
V,I
C
=
1
A
I
C
=
2
A,I
B
=
200
mA
I
C
=
2
A,I
B
=
200
mA
123
除非另有规定编)
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
100
μA ,我
E
=0
IC 。
5
妈,我
B
=0
I
E
=
100
μA ,我
C
=0
V
CB
=
50
V,I
E
=0
V
EB
=
3
V,I
C
=0
V
CE
=
2
V,I
C
=
20
mA
50
50
5
1
1
100
100
400
0.5
2
80
45
µA
µA
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
V
CE
= 5V ,我
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
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