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1N5234B 硅外延平面稳压二极管的稳压 (Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation)
.型号:   1N5234B
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描述: 硅外延平面稳压二极管的稳压
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation
文件大小 :   48 K    
页数 : 2 页
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品牌   RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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1N5234B 硅外延平面稳压二极管的稳压 (Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation)
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
1N52
1N52系列齐纳二极管
1N52系列
齐纳二极管
1N5221B通过1N5272B电气特性
(T
A
= 25℃ ),除非另有noted.Based上直流测量在热equillibrium ;引线长度= 3 /8“ ;的热的耐热性
沉= 30 °C / W V
FMAX
= 1.1V @我
F
= 200毫安所有类型(T
A
= 25°C
V
FMAX
= 1.1V @我
F
=200mA
)
TYPE
公称
齐纳
电压
VZ @ L
ZT
最大齐纳阻抗
TEST
只有A和B Sufflx
当前
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZT
@I
ZT
mA
= 0.25毫安
最大反向
漏电流
I
R
µA
V
R
B
最大齐纳Voltege
温度COFF
(只有A AMD Bsuffix )
VZ( %/ ℃)
尺寸
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
20
Φ
0.5 ± 0.1
20
Φ
1.8 ± 0.2
20
3.0
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
600
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
DO-35
(mm)
600
0.1
600
0.1
注: V
Z
示值的中心值与公差代号
如下:
后缀B: V
Z
± 5%
后缀为C: V
Z
± 2%
后缀D: V
Z
± 1%
Vz
B
C
D
Vz
Vz
Vz
29 ± 1
3.8 ± 0.2
20
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
-0.085
-0.085
-0.08
-0.08
-0.075
-0.07
-0.065
-0.06
±0.055
±0.03
±0.03
+0.038
+0.038
+0.045
+0.05
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.088
+0.089
+0.090
+0.091
29 ± 1
± 5%
± 2%
± 1%
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