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M95128-RDW6TPV  M95128-RDW3V  M95128-RMN3TV  M95128-RDW6TGP  M95128-RDW6P  M95128-RDW3TPV  M95128-RMN3GV  IDT7130SA100FGI  M95128-RMN6PV  M95128-RMB6TP/P  
MBRS2060CT 20.0安培。表面贴装肖特基整流器 (20.0 AMPS. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers)
.型号:   MBRS2060CT
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描述: 20.0安培。表面贴装肖特基整流器
20.0 AMPS. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
文件大小 :   164 K    
页数 : 2 页
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品牌   TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
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100%
额定值和特性曲线( MBRS2035CT THRU MBRS20150CT )
FIG.1-正向电流降额曲线
20
峰值正向浪涌电流。 ( A)
平均正向电流。 ( A)
电阻或
感性负载
16
150
TJ = Tj最高。
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流每支架
125
12
100
75
8
50
4
25
0
0
50
100
o
150
0
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度。 ( C)
40
FIG.3-典型INSTANT
ANEOUS FORWARD
特性每支架
50
FIG.4-典型的反向特性
每腿
瞬时正向电流。 ( A)
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
瞬时反向电流。 (MA )
10
Tj=150
0
C
10
Tj=125
0
C
1
1
Tj=25
0
C
Tj=75
0
C
0.1
0.1
0.01
Tj=25
0
C
MBRS2035CT-MBRS2045CT
MBRS2050CT & MBRS2060CT
MBRS20150CT
MBRS2035CT-MBRS2045CT
MBRS2050CT & MBRS20150CT
0.01
0
0.001
0.1
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
FORWARD VOLT
AGE 。 (V )
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向VOLT
AGE 。 (%)
FIG.5-典型结CAPACIT
ANCE每支架
5,000
0
Tj=25C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
每腿
瞬态热阻抗。 (
O
C / W )
100
结电容。 (PF )
10.0
1,000
1
MBRS2035CT-MBRS2045CT
MBRS2050CT & MBRS20150CT
100
0.1
1
10
的反向电压。 (V )
100
0.1
0.01
0.1
1
T,脉冲持续时间。 (秒)
10
100
版本: B07
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