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2SB736A 微型封装。补充2SD780A 。高直流电流增益: hFE参数= 200 TYP 。 (Micro package. Complementary to 2SD780A. High DC Current Gain: hFE = 200 TYP.)
.型号:   2SB736A
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描述: 微型封装。补充2SD780A 。高直流电流增益: hFE参数= 200 TYP 。
Micro package. Complementary to 2SD780A. High DC Current Gain: hFE = 200 TYP.
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品牌   TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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100%
产品speci fi cation
2SB736A
SOT-23
单位:mm
特点
微型封装。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
补充2SD780A 。
高直流电流增益:H
FE
= 200 TYP 。 (V
CE
= -1.0 V,I
C
= -50毫安)
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-80
-80
-5.0
-300
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压*
输出电容
增益带宽积
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= -50 V,I
E
= 0
V
EB
= -5.0 V,I
C
= 0
V
CE
= -1.0 V,I
C
= -50毫安
V
CE
= 6.0 V,I
C
= -10毫安
110
-600
-660
-0.35
13
100
典型值
最大
-100
-100
400
-700
-0.6
mV
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= -300毫安,我
B
= -30毫安
C
ob
f
T
V
CB
= -6.0 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
= -6.0 V,I
E
= 10毫安
h
FE
分类
记号
h
FE
B51
110 180
B52
135 220
B53
170 270
B54
200 320
B55
250 400
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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