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S-80810CLNB-B9M-T2  S-80809CLNB-B9M-T2  S-80880CNMC-B9C-T2  S-80855CNNB-B9G-T2  S-80810CNNB-B9N-T2  S-80860CNPF-B9LTFG  S-80852CNUA-B9D-T2  S-80810CLNB-B9N-T2  S-80854CNMC-B9F-T2  COP8SGB9DIE8  
KCD36 对于表面安装应用程序,薄型封装 (For surface mounted applications, Low profile package)
.型号:   KCD36
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描述: 对于表面安装应用程序,薄型封装
For surface mounted applications, Low profile package
文件大小 :   62 K    
页数 : 1 页
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品牌   TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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100%
产品speci fi cation
KCD32 THRU KCD310
( SCD32 THRU SCD310 )
DO-214AC(SMA)
单位:mm
3.93
3.73
特点
对于表面安装应用程序。
薄型封装。
内置应变救灾。
金属硅交界处,多数载流子传导。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
1.524
0.762
1.575
1.397
2
4.597
3.988
1
2.896
2.489
1.67
1.47
5.283
4.775
2.38
2.18
5.49
5.29
推荐
土地模式
2.438
1.981
0.203
0.051
0.305
0.152
绝对最大额定值,并在25电气特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在3.0A * 1
最大DC反向电流* 1 T&
A
=25
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
* 1.脉冲测试: 300ms的脉冲宽度, 1 %的占空比。
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
20
R
R
JA
JL
KCD32
20
14
20
KCD34
40
28
40
3
80
0.5
0.5
KCD36
60
42
60
KCD310
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
0.7
0.85
V
mA
10
55
17
/W
-55到+150
-55到+150
T
J
T
英镑
-55到+125
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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