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产品speci fi cation
KCP56-16
SOT-223
单位:mm
+0.2
3.50
-0.2
特点
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
+0.2
6.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1
2
2.9
4.6
3
+0.1
0.70
-0.1
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流(T
P
<为5ms )
功耗
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
R
θJA
T
j
TSTG
等级
100
80
5
1
1.5
1.5
94
150
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
℃/W
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
基极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
C
= 0.1毫安,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V
I
C
= 0 ; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
V
CE ( SAT )
f
T
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
130
25
100
25
0.5
V
兆赫
250
100
80
5
100
100
nA
nA
典型值
最大
单位
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
+0.15
1.65
-0.15
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    KCP56-16
    应用领域和描述

    Low collector-emitter saturation voltage
    低集电极 - 发射极饱和电压

    总1页 (57K) TY Semiconductor Co., Ltd
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