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东贝光电科技有限公司
MVL-401G
MVL-401Y
MVL-401HR
04/30/2002
描述
该MVL - 401xx系列套餐是T-1 3/4 ( φ4mm的)
标准色扩散塑料透镜封装。喜- EFF
红色(HR)和黄色LED芯片均采用镓
砷磷化镓磷化物二极管。该
绿色的LED芯片上进行与磷化镓
磷化镓二极管。磷化二极管。
包装尺寸
团结:毫米(英寸)
应用
l
l
l
l
l
流行的T-1 3/4 ( φ4mm的)直径的包
I.C.兼容/低电流要求
低功耗
通用信息
可靠,坚固耐用
注意事项:
1.公差为±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下凸缘2.出刃树脂为1.5毫米( 0.059 '')最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大Tatings
参数
功耗
峰值正向电流(1/10占空比为0.1ms脉冲宽度)
连续正向电流
线性降额从25
o
C
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
符号
PAD
IPF
IAF
V
R
TOPR
TSTG
最大额定值
绿色
HR
单位
mW
A
毫安/
o
C
mA
V
100
120
30
0.4
5
60
80
20
0.25
5
100
120
30
0.4
5
-55
o
C至+ 100
o
C
-55
o
C至+ 100
o
C
引线焊接温度( 1.6毫米从体) 3秒260
o
C
P1
光电气特性
产品型号: MVL - 401G
参数
发光强度
正向电压
反向电流
波长
光谱线半宽
视角
产品型号: MVL - 401Y
参数
发光强度
正向电压
反向电流
波长
光谱线半宽
视角
产品型号: MVL - 401HR
参数
发光强度
正向电压
反向电流
波长
光谱线半宽
视角
@T
A
=25
o
C
单元。
MCD
V
µA
nm
nm
o
@T
A
=25 C
单元。
MCD
V
µA
nm
nm
测试条件
I
F
=10mA
I
F
=20mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
符号
I
V
V
F
I
R
λp
∆λ
1/2
分钟。
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
15
2.1
-
565
30
60
MAX 。
-
2.8
100
-
-
-
测试条件
I
F
=10mA
I
F
=20mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
符号
I
V
V
F
I
R
λp
∆λ
1/2
分钟。
3.0
-
-
-
-
-
典型值。
13
2.1
-
585
35
60
MAX 。
-
2.8
100
-
-
-
测试条件
I
F
=10mA
I
F
=20mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
符号
I
V
V
F
I
R
λp
∆λ
1/2
分钟。
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
14
2.0
-
640
40
60
MAX 。
-
2.8
100
-
-
-
o
@T
A
=25 C
单元。
MCD
V
µA
nm
nm
P2
典型的光 - 电特性曲线
1
摹ÿ
HR
50
HR ÿ
G
相对发光强度
正向电流I
F
(MA )
500
550
600
650
700
750
40
30
20
10
0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.5
0
波长(nm )
图1.相对发光强度
VS.波长
正向电压( V)
图2.正向电流
VS.正向电压
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
G /人力资源
Y
5.0
相对发光强度
正向电流I
F
(MA )
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
10
20
30
40
50
环境温度(
o
C
)
图3.正向电流
- 环境温度
正向电流I
F
(MA )
图4.相对光强
与正向电流
相对发光强度
相对发光强度
10
0
o
10
o
20
o
30
o
40
o
1
1.0
0.9
0.8
0.5 0.3 0.1
0.2 0.4 0.6
50
o
60
o
70
o
80
o
90
o
0.1
-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
环境温度(
o
C
)
图5.相对发光强度
- 环境温度
图6.辐射方向图
P3
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11 icpdf_datashe