2SC3358

更新时间:2024-09-18 01:40:32
品牌:UTC
描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

2SC3358 概述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN硅平面外延型晶体管 其他晶体管

2SC3358 规格参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.58最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):50
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W子类别:Other Transistors
Base Number Matches:1

2SC3358 数据手册

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