元器件型号: | 2SD965AL-R-TN3-T |
生产厂家: | UNISONIC TECHNOLOGIES |
描述和应用: | LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:57K) |
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型号参数:2SD965AL-R-TN3-T参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.8 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 340 |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
Base Number Matches | 1 |
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
低压大电流晶体管