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1N50L-TA3-T 1.3安培, 500伏特N沟道功率MOSFET (1.3 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET)
.型号:   1N50L-TA3-T
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描述: 1.3安培, 500伏特N沟道功率MOSFET
1.3 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
文件大小 :   165 K    
页数 : 6 页
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品牌   UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
购买 :   
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100%
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N50
初步
功率MOSFET
1.3安培, 500伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
1N50
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术,为客户提供平面条形
和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻和出色的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
1N50
一般适用于高效率开关模式
电源,有源功率因数校正和电子灯
基于半桥拓扑镇流器。
1
TO-220
特点
* 1.3A , 500V ,R
DS ( ON)
=5.5Ω @ V
GS
=10V
*高开关速度
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N50L-TA3-T
1N50G-TA3-T
引脚分配: G:门D:漏极
S:源
TO-220
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
注意:
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-548.a
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