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2SC2688

NPN外延硅晶体管

NPN硅晶体管

描述

在UTC 2SC2688是专为彩电色度使用

输出电路。

特点

*高静电放电通电阻。

ESDR ： 1000V TYP 。 （E -B反向偏置， C = 2300pF ）

*低C

re

，高氟

T

C

re

≤3.0

PF（ V

CB

=30V)

f

T

≥50MHz

(V

CE

= 30V ，我

E

=-10mA)

1

TO-126

*无铅电镀产品编号： 2SC2688L

订购信息

订单号

正常

无铅电镀

2SC2688-x-T60-A-K

2SC2688L-x-T60-A-K

包

TO-126

引脚分配

1

2

3

E

C

B

填料

体积

2SC2688L-x-T60-A-K

（ 1 ）包装类型

（ 2 ）引脚分配

（ 3 ）封装类型

(4)Rank

（ 5 ）铅电镀

（ 1 ）K ：散装

（ 2 ）参考引脚分配

（ 3 ） T60 ： TO- 126

（ 4）× ：指h的分类

FE

（ 5 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡

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QW-R204-023,A

2SC2688

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

NPN外延硅晶体管

评级

单位

300

V

300

V

5.0

V

200

mA

Ta=25℃

1.25

W

总功耗

P

D

T

C

=25℃

10

W

结温

T

J

150

℃

储存温度

T

英镑

-55 ~ +150

℃

注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

电气特性

(Ta=25℃)

参数

符号

集电极饱和电压

V

CE （ SAT ）

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

发射Cuto FF电流

I

EBO

直流电流增益

h

FE

增益带宽积

f

T

反馈电容

C

re

注1： *脉冲PW

≤

350ìs ，占空比

≤

2%

测试条件

I

C

= 20mA时，我

B

=5.0mA

V

CB

= 200V ，我

E

=0

V

EB

= 5.0V ，我

C

=0

V

CE

= 10V ，我

C

=10mA

V

CE

= 30V ，我

E

=-10mA

V

CB

= 30V ，我

E

= 0 ， F = 1.0MHz的

民

典型值

最大

1.5

100

100

250

3

单位

V

nA

nA

兆赫

pF

40

50

80

80

分类h及

FE

秩

范围

N

40 ~ 80

M

60 ~ 120

L

100 ~ 200

K

16 ~ 250

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QW-R204-023,A

2SC2688

集电极开路

NPN外延硅晶体管

BURNOUT测试电路BY放电电容

测试条件

1， E- B反向偏压

2.C=2300pF

3.取适量涂抹于拍摄脉冲T.U.T.

（晶体管在测试），由西南。

判断

拒绝; BV

EBO

波形缺陷

这样一来，如果T.U.T.不拒绝，

适用于高电压电容器

再次测试。

SW 。

T.U.T

V

D

C = 2 300pF

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QW-R204-023,A

2SC2688

典型特征

(Ta=25℃)

总功率耗散VS

.

Ambinet温度

NPN外延硅晶体管

总功率耗散，P

D

(W)

总功率耗散，P

D

(W)

1.5

总功耗对比

Ambinet温度

自由的空气

10

8

6

4

2

0

无限大的散热器

1.25

1.0

0.75

0.5

0.25

0

25 50 75 100 125 150 175

环境温度TA （ ℃ ）

25 50 75 100 125 150

环境温度TA （ ℃ ）

14

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

3.0

150µA

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

30µA

12

10

8

6

4

2

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

50

100

150

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

20µA

I

B

=10µA

100µA

I

B

=50µA

0

2 4

6

8 10 12 14

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，I

C

（MA ）

直流电流增益，H

FE

集电极电流主场迎战基地

发射极电压

70

V

CE

=10V

60

50

40

30

20

10

0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

基地发射极电压，V

BE

(V)

直流电流增益与集电极

当前

V

CE

=10V

200

100

50

10

5

1

0.1

0.5 1

5 10 50 100 5001000

集电极电流，I

C

（MA ）

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2SC2688

典型特征

盐基饱和电压，V

BE （SAT）

(V)

集电极饱和电压，V

CE （SAT）

(V)

NPN外延硅晶体管

10.0

5.0

1.0

0.5

0.1

0.05

0.01

0.1

I

C

=10·I

B

V

BE （ SAT ）

增益带宽积，女

T

（兆赫）

基极和集电极饱和

电压与集电极电流

增益Banddwidth产品VS

.

发射极电流

V

CE

=30V

200

100

50

V

CE （SAT）

0.5 1

5 10 50 100 5001000

集电极电流，I

C

（MA ）

10

-1

-5 -10

-50 -100

发射极电流，I

E

（MA ）

反馈电容，C

re

（PF ）

反馈电容

vs.Collector基极电压

I

E

=0

f=1MHz

10

5

1

5 10

1

50 100

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

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可靠，可恕不另行通知。

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