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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SC2688
NPN外延硅晶体管
NPN硅晶体管
描述
在UTC 2SC2688是专为彩电色度使用
输出电路。
特点
*高静电放电通电阻。
ESDR : 1000V TYP 。 (E -B反向偏置, C = 2300pF )
*低C
re
,高氟
T
C
re
≤3.0
PF( V
CB
=30V)
f
T
≥50MHz
(V
CE
= 30V ,我
E
=-10mA)
1
TO-126
*无铅电镀产品编号: 2SC2688L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SC2688-x-T60-A-K
2SC2688L-x-T60-A-K
TO-126
引脚分配
1
2
3
E
C
B
填料
体积
2SC2688L-x-T60-A-K
( 1 )包装类型
( 2 )引脚分配
( 3 )封装类型
(4)Rank
( 5 )铅电镀
( 1 )K :散装
( 2 )参考引脚分配
( 3 ) T60 : TO- 126
( 4)× :指h的分类
FE
( 5 ) L:无铅电镀,空白:铅/锡
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QW-R204-023,A
2SC2688
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
NPN外延硅晶体管
评级
单位
300
V
300
V
5.0
V
200
mA
Ta=25℃
1.25
W
总功耗
P
D
T
C
=25℃
10
W
结温
T
J
150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
电气特性
(Ta=25℃)
参数
符号
集电极饱和电压
V
CE ( SAT )
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
增益带宽积
f
T
反馈电容
C
re
注1: *脉冲PW
350ìs ,占空比
2%
测试条件
I
C
= 20mA时,我
B
=5.0mA
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 5.0V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 30V ,我
E
=-10mA
V
CB
= 30V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
典型值
最大
1.5
100
100
250
3
单位
V
nA
nA
兆赫
pF
40
50
80
80
分类h及
FE
范围
N
40 ~ 80
M
60 ~ 120
L
100 ~ 200
K
16 ~ 250
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QW-R204-023,A
2SC2688
集电极开路
NPN外延硅晶体管
BURNOUT测试电路BY放电电容
测试条件
1, E- B反向偏压
2.C=2300pF
3.取适量涂抹于拍摄脉冲T.U.T.
(晶体管在测试),由西南。
判断
拒绝; BV
EBO
波形缺陷
这样一来,如果T.U.T.不拒绝,
适用于高电压电容器
再次测试。
SW 。
T.U.T
V
D
C = 2 300pF
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QW-R204-023,A
2SC2688
典型特征
(Ta=25℃)
总功率耗散VS
.
Ambinet温度
NPN外延硅晶体管
总功率耗散,P
D
(W)
总功率耗散,P
D
(W)
1.5
总功耗对比
Ambinet温度
自由的空气
10
8
6
4
2
0
无限大的散热器
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
25 50 75 100 125 150 175
环境温度TA ( ℃ )
25 50 75 100 125 150
环境温度TA ( ℃ )
14
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
3.0
150µA
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
30µA
12
10
8
6
4
2
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
150
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
20µA
I
B
=10µA
100µA
I
B
=50µA
0
2 4
6
8 10 12 14
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
集电极电流,I
C
(MA )
直流电流增益,H
FE
集电极电流主场迎战基地
发射极电压
70
V
CE
=10V
60
50
40
30
20
10
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
基地发射极电压,V
BE
(V)
直流电流增益与集电极
当前
V
CE
=10V
200
100
50
10
5
1
0.1
0.5 1
5 10 50 100 5001000
集电极电流,I
C
(MA )
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QW-R204-023,A
2SC2688
典型特征
盐基饱和电压,V
BE (SAT)
(V)
集电极饱和电压,V
CE (SAT)
(V)
NPN外延硅晶体管
10.0
5.0
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.1
I
C
=10·I
B
V
BE ( SAT )
增益带宽积,女
T
(兆赫)
基极和集电极饱和
电压与集电极电流
增益Banddwidth产品VS
.
发射极电流
V
CE
=30V
200
100
50
V
CE (SAT)
0.5 1
5 10 50 100 5001000
集电极电流,I
C
(MA )
10
-1
-5 -10
-50 -100
发射极电流,I
E
(MA )
反馈电容,C
re
(PF )
反馈电容
vs.Collector基极电压
I
E
=0
f=1MHz
10
5
1
5 10
1
50 100
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
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