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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SD1816
NPN外延平面晶体管
HIGH CURRENT SWITCHIG
应用
1
特点
*低集电极 - 发射极饱和电压
* h的线性度好
FE
*套小型和超薄封装的促进紧凑。
*高F
T
*开关速度快
TO-252
1
TO-251
*无铅电镀产品编号: 2SD1816L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD1816-x-TM3-F-T
2SD1816L-x-TM3-F-T
2SD1816-x-TN3-F-K
2SD1816L-x-TN3-F-K
2SD1816-x-TN3-F-R
2SD1816L-x-TN3-F-R
注:X :评价等级,是指h的分类
FE1
.
2SD1816L-x-TM3-F-T
( 1 )包装类型
( 2 )引脚分配
( 3 )封装类型
(4)Rank
( 5 )铅电镀
( 1 )K :散装,T :管, R:带卷轴
( 2 )参考引脚分配
( 3 ) TM3 : TO- 251 , TN3 : TO- 252
( 4)× :指h的分类
FE1
( 5 ) L:无铅电镀,空白:铅/锡
TO-251
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
B
C
E
填料
体积
带盘
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1 4
QW-R209-011,B
2SD1816
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
NPN外延平面晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃ )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
DC
脉冲(注1 )
I
C
P
D
评级
120
100
6
4
8
1
(T
C
= 25℃) 20 (注2)
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
结温
T
J
储存温度
T
英镑
注1 :工作= 1 /2, PW = 20毫秒
注2 :当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板
注3 :绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 1毫安,R
B
=∞
I
E
= 10μA ,我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CB
= 100 V,I
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 3A
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
见测试电路
见测试电路
见测试电路
120
100
6
典型值
最大单位
V
V
V
1.2
V
400
mV
1
µA
1
µA
400
兆赫
pF
ns
ns
ns
0.9
150
70
40
180
40
100
900
50
分类h及
FE1
范围
R
100 - 200
S
140 - 280
T
200 - 400
Q
70 -140
测试电路
PW=20μS
占空比= 1 %
输入
I
B1
R
B
I
B2
50
V
R
+
100µ
-5V
IC = 10 ,余
B1
= -10, I
B2
=2A
单位(电阻: Ω ,电容: F)
+
470
µ
50V
产量
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QW-R209-011,B
2SD1816
典型特征
IC -V
CE
5
Colletcor电流, IC ( A)
4
3
2
1
0
100mA
mA
80毫安90
70mA
60mA
NPN外延平面晶体管
IC -V
CE
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
5
0
10
20
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
A
50米一
4000万
30m
A
20m
10mA
ColletcorCurrent , IC ( A)
3mA
2mA
1mA
I
B
=0
30
40
50
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
5mA
2mA
I
B
=0
0
1
2
3
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
IC -V
BE
5
Colletcor电流, IC ( A)
h
FE
- 集成电路
V
CE
=5V
直流电流增益,H
FE
1000
7
5
3
2
V
CE
=5V
Ta=75℃
25℃ -25℃
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Ta=75℃
25℃
-25℃
1.0
1.2
100
7
5
3
2
10
7
5
5
0.01
2
3
5
0.1
2
3
5
1.0
2 3
5
10
基地发射极电压,V
BE
(V)
集电极电流,I
C
(A)
f
T
-I ç
5
COB - V
CB
V
CE
=10V
3
增益带宽积,女
T
(兆赫)
2
输出电容,COB (PF )
3
2
f=1MHZ
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
10
2
3
5 7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
5 7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
2
Colletcor电流Ic ( A)
,
Colletcor基极电压,V
CB
(V)
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QW-R209-011,B
2SD1816
典型特征(续)
V
CE (SAT)
- 集成电路
5
NPN外延平面晶体管
V
CE( AT)的
- 集成电路
S
10
基极到发射极
饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
7
5
3
2
集电极到发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
3
2
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=10
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
TA = -25
25
75
Ta=75
25
-25
5
0.01
2
3
5
0.1
2
3
5
1.0
2
3
5
10
5
0.01
2
3
集电极电流I
C
(A)
,
1.
2 3
0
集电极电流I
C
(A)
,
5
0.1
2
3
5
5
10
ASO
10
5
3
P
D
-Ta
1ms
25
ICP
Ic
DC
D
集电极耗散,P
D
(W)
COLLECTORCURRENT ,我
C
(A)
2
1.0
5
3
2
(T欧普
a=
25 C鼠
离子
)
10ms
100ms
20
15
10
5
1
0
无散热器
0
20
40
60
80 100 120 140 160
C
O
IO ñ
ラ吨
pe
c=
(T
0.1
5
3
2
25
)
0.01
5
2
Tc=25℃
一个脉冲
3
5
1.0
2
3
5
10
2
3
5
100
2
Colletcor到发射极电压,V
CE
(V)
环境温度,钽
(℃)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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