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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SD882
中功率低
电压晶体管
1
TO-126
NPN硅晶体管
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SB772
1
TO-126C
应用
*音频功率放大器
*的DC-DC转换器
*稳压器
1
TO-92NL
1
TO-251
1
TO-252
*无铅电镀产品编号: 2SD882L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD882-x-T60-K
2SD882L-x-T60-K
2SD882-x-T6C-K
2SD882L-x-T6C-K
2SD882-x-TM3-T
2SD882L-x-TM3-T
2SD882-x-TN3-R
2SD882L-x-TN3-R
2SD882-x-TN3-T
2SD882L-x-TN3-T
2SD882-x-T9N-B
2SD882L-x-T9N-B
2SD882-x-T9N-K
2SD882L-x-T9N-K
TO-126
TO-126C
TO-251
TO-252
TO-252
TO-92NL
TO-92NL
引脚分配
1
2
3
E
C
B
E
C
B
B
C
E
B
C
E
B
C
E
E
C
B
E
C
B
填料
体积
体积
带盘
磁带盒
体积
2SD882L-x-T60-R
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
(3)Rank
( 4 )铅电镀
( 1 ) B:磁带盒, K:散装,T :管, R:带卷轴
( 2 ) T60 : TO- 126 , T6C : TO- 126C , TM3 : TO- 251 ,
TN 3 : TO- 252 , T9N : TO- 92NL
(3 )× :指h的分类
FE2
( 4 ) L:无铅电镀,空白:铅/锡
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1 4
QW-R209-003,C
2SD882
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
(
Ta=25
)
TO-92NL
TO-251/TO-252/
TO-126/TO-126C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
中,除非另有规定)
评级
40
30
5
3
7
0.6
0.5
1
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
直流电流增益(注1 )
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
电流增益带宽积
f
T
输出电容
COB
注1 :脉冲测试: PW<300
µ
S,责任Cycle<2 %
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=20mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1A
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
40
30
5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
1000
1000
30
100
200
150
0.3
1.0
80
45
400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
分类h及
FE2
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
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2 4
QW-R209-003,C
2SD882
典型特征
静态特性
NPN硅晶体管
国家外汇管理局经营降额曲线
地区
150
集电极电流IC ( A)
降额,我
C
(%)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
I
B
=9mA
I
B
=8mA
I
B
=7mA
I
B
=6mA
I
B
=5mA
I
B
=4mA
I
B
=3mA
I
B
=2mA
I
B
=1mA
4
8
12
16
20
100
S/
50
bl
im
ITE
d
n
io
at
ip
为s
D
LIM
d
ITE
0
-50
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压( V)
外壳温度,T
C
(℃)
电流增益带宽积
目前GAIN-
带宽积,女
T
(兆赫)
安全工作区
10
1
集电极电流,I
C
(A)
10
3
S
1m
0.
10
m
S
1m
S
10
2
V
CE
=5V
I
B
=8mA
10
0
I
C
(最大) ,直流
10
1
10
-1
I
C
(最大) ,脉冲
10
-2
10
10
-2
0
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压
10
2
集电极电流IC ( A)
直流电流增益
饱和电压
饱和电压(MV )
10
3
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0 0
10
V
BE ( SAT )
直流电流增益,H
FE
10
2
V
CE
=2V
V
CE ( SAT )
10
1
10
0
10
0
10
集电极电流,I
C
(MA )
10
1
3
10
4
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极电流,I
C
(MA )
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 4
QW-R209-003,C
2SD882
典型特征(续)
集电极输出电容
输出电容(pF )
NPN硅晶体管
10
3
I
E
=0
f=1MHz
10
2
10
1
10
0
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
集电极 - 基极电压( V)
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QW-R209-003,C
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
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