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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SD965/A
低电压高
电流晶体管
特点
*集电极电流高达5A
*世界标准时间
2SD965 :
集电极 - 发射极电压高达20 V
*世界标准时间
2SD965A :
集电极 - 发射极电压高达30 V
NPN硅晶体管
1
SOT-89
1
TO-252
应用
*音频放大器
*闪光的相机单元
*开关电路
1
TO-92
*无铅电镀产品编号:
2SD965L/2SD965AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD965-x-AB3-R
2SD965L-x-AB3-R
2SD965-x-T92-B
2SD965L-x-T92-B
2SD965-x-T92-K
2SD965L-x-T92-K
2SD965-x-TN3-R
2SD965L-x-TN3-R
2SD965-x-TN3-T
2SD965L-x-TN3-T
2SD965A-x-AB3-R
2SD965AL-x-AB3-R
2SD965A-x-T92-B
2SD965AL-x-T92-B
2SD965A-x-T92-K
2SD965AL-x-T92-K
2SD965A-x-TN3-R
2SD965AL-x-TN3-R
2SD965A-x-TN3-T
2SD965AL-x-TN3-T
SOT-89
TO-92
TO-92
TO-252
TO-252
SOT-89
TO-92
TO-92
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
C
B
E
C
B
B
C
E
B
C
E
B
C
E
E
C
B
E
C
B
B
C
E
B
C
E
填料
带盘
磁带盒
体积
带盘
带盘
磁带盒
体积
带盘
2SD965L-x-AB3-R
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
(3)Rank
( 4 )铅电镀
( 1 ) B:磁带盒, K:散装, R:带卷轴,T :管
( 2 ) AB3 : SOT - 89 , T92 : TO- 92 , TN3 : TO- 252
(3 )× :指h的分类
FE2
( 4 ) L:无铅电镀,空白:铅/锡
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©2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R209-007,B
2SD965/A
绝对最大额定值
(Ta=25
)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散
集电极电流
SOT-89
TO-92
TO-252
2SD965
2SD965A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
C
I
C
NPN硅晶体管
评级
40
20
30
7
500
750
1
5
单位
V
V
V
V
mW
mW
W
A
结温
T
J
150
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
除非另有规定编)
参数
符号
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
I
C
=100
µ
A,I
E
=0
集电极 - 发射极
2SD965
BV
首席执行官
I
C
= 1mA时,我
B
=0
击穿电压
2SD965A
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
=10
µ
A,I
C
=0
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= 10V ,我
E
=0
发射极截止电流
I
EBO
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=1mA
直流电流增益(注)
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=2A
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 3A ,我
B
= 0.1A
电流增益带宽积
f
T
V
CE
= 6V ,我
C
=50mA
输出电容
C
ob
V
CB
= 20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
40
20
30
7
典型值
最大
单位
V
V
V
V
nA
nA
100
100
200
230
150
150
50
800
1
V
兆赫
pF
分类h及
FE2
范围
Q
230-380
R
340-600
S
560-800
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2 4
QW-R209-007,B
2SD965/A
典型特征
静态特性
3.0
I
B
=3.0mA
I
B
=2.5mA
I
B
=2.0mA
2.0
1.5
I
B
=1.5mA
I
B
=1.0mA
I
B
=0.5mA
1.0
0
10
3
NPN硅晶体管
直流电流增益
集电极电流,I
C
(A)
直流电流增益,H
FE
2.5
10
2
V
CE
=2V
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
10
-1
0
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压( V)
集电极电流,I
C
(MA )
基射极电压上
6 V =2V
CE
集电极电流,I
C
(A)
饱和电压
10
饱和电压(MV )
4
25℃
Ta=75℃
-25℃
I
C
=30·I
B
5
4
3
2
1
0
0
0.4
10
3
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
10
2
0.8
1.2
1.6
2.0
10
1 0
10
基地发射极电压,V
BE
(V)
10
3
集电极电流,I
C
(MA )
10
1
10
2
10
4
电流增益带宽积
电流增益带宽积,
f
T
(兆赫)
集电极输出电容
10
3
10
3
V
CE
=6V
10
2
电容C
ob
(PF )
f=1MHz
I
E
=0
10
2
10
1
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
集电极电流,I
C
(MA )
集电极 - 基极电压( V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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QW-R209-007,B
2SD965/A
典型特征
安全工作区
100
集电极电流,I
C
(A)
NPN硅晶体管
10
ICP
I
C
单脉冲
TA = 25 ℃
t=10ms
t=1s
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
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其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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QW-R209-007,B
相关元器件产品Datasheet PDF文档

2SD965-R-TN3-K

LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR
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