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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
81CXXX/81NXXX
与电压检测器
内置延迟时间
描述
在UTC
81CXXX
81NXXX
系列是不错的表现
电压检测器和CMOS的技术与制造
高度精确的,低功耗。延迟电路内置
每个探测器,因此,外围是不必要的,高
密度安装是可能的。检测电压是非常准确
以最小的温度漂移。 CMOS和N沟道开
漏极开路输出配置可供选择。
3
1
CMOS IC
3
1
2
2
SOT-23-3
( JEDEC TO- 236 )
SOT-23
( EIAJ SC- 59 )
1
1
SOT-223
SOT-89
特点
*高精度:
*内置延迟时间:
检测电压的± 2 %
1毫秒〜 50毫秒
50毫秒〜 200毫秒
为200ms 〜 400ms的
1
*检测电压温度
特性:
TYP ± 100ppm的/°C的
*宽工作电压范围: 0.7V 〜 10.0V
*低电流消耗:
典型值1.0μA (V
IN
=2.0V)
TO-92
订购信息
CMOS :
订购数量
① :延迟
时间
无铅
无卤
长短
CODE
81CXXL-①-AA3-B-R
81CXXG-①-AA3-B-R
81CXXL-①-AB3-E-R
81CXXG-①-AB3-E-R
81CXXL-①-AE3-3-R
81CXXG-①-AE3-3-R
81CXXL-①-AE3-5-R
81CXXG-①-AE3-5-R
81CXXL-①-AE3-2-R
81CXXG-①-AE3-2-R
81CXXL-①-AE2-3-R
81CXXG-①-AE2-3-R
1 〜 50毫秒
P
81CXXL-①-AE2-5-R
81CXXG-①-AE2-5-R
50 〜 200毫秒
Q
81CXXL-①-AE2-2-R
81CXXG-①-AE2-2-R
200 〜 400毫秒
R
81CXXL-①-T92-D-B
81CXXG-①-T92-D-B
81CXXL-①-T92-E-B
81CXXG-①-T92-E-B
81CXXL-①-T92-D-K
81CXXG-①-T92-D-K
81CXXL-①-T92-E-K
81CXXG-①-T92-E-K
81CXXL-①-T92-D-R
81CXXG-①-T92-D-R
81CXXL-①-T92-E-R
81CXXG-①-T92-E-R
SOT-223
SOT-89
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
O
G
I
O
I
G
O
G
I
G
O
I
I
O
G
O
G
I
G
O
I
I
O
G
I
G
O
O
I
G
I
G
O
O
I
G
I
G
O
O
I
G
填料
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
磁带盒
磁带盒
体积
体积
带盘
带盘
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1 16
QW-R502-039,P
81CXXX/81NXXX
订购信息(续)
N通道:
订购数量
① :延迟
时间
无铅
无卤
长短
CODE
81NXXL-①-AA3-B-R
81NXXG-①-AA3-B-R
81NXXL-①-AB3-E-R
81NXXG-①-AB3-E-R
81NXXL-①-AE3-3-R
81NXXG-①-AE3-3-R
81NXXL-①-AE3-5-R
81NXXG-①-AE3-5-R
81NXXL-①-AE3-2-R
81NXXG-①-AE3-2-R
81NXXL-①-AE2-3-R
81NXXG-①-AE2-3-R
1 〜 50毫秒
H
81NXXL-①-AE2-5-R
81NXXG-①-AE2-5-R
50 〜 200毫秒
J
81NXXL-①-AE2-2-R
81NXXG-①-AE2-2-R
200 〜 400毫秒
K
81NXXL-①-T92-D-B
81NXXG-①-T92-D-B
81NXXL-①-T92-E-B
81NXXG-①-T92-E-B
81NXXL-①-T92-D-K
81NXXG-①-T92-D-K
81NXXL-①-T92-E-K
81NXXG-①-T92-E-K
81NXXL-①-T92-D-R
81NXXG-①-T92-D-R
81NXXL-①-T92-E-R
81NXXG-①-T92-E-R
注: 1.引脚分配: I: V
IN
○: V
OUT
G: V
SS
2. XX :输出电压,请参阅标识信息。
SOT-223
SOT-89
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
O
G
I
O
I
G
O
G
I
G
O
I
I
O
G
O
G
I
G
O
I
I
O
G
I
G
O
O
I
G
I
G
O
O
I
G
I
G
O
O
I
G
CMOS IC
填料
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
磁带盒
磁带盒
体积
体积
带盘
带盘
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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2 16
QW-R502-039,P
81CXXX/81NXXX
标识信息
电压编码
记号
CMOS IC
SOT-223
SOT-89
TO-92
10:1.0V
11:1.1V
12:1.2V
13:1.3V
14:1.4V
15:1.5V
16:1.6V
17:1.7V
18:1.8V
19:1.9V
20:2.0V
21:2.1V
22:2.2V
23:2.3V
24:2.4V
25:2.5V
26:2.6V
27:2.7V
28:2.8V
29:2.9V
30:3.0V
31:3.1V
32:3.2V
33:3.3V
34:3.4V
35:3.5V
36:3.6V
37:3.7V
38:3.8V
39:3.9V
40:4.0V
41:4.1V
42:4.2V
43:4.3V
44:4.4V
45:4.5V
46:4.6V
47:4.7V
48:4.8V
49:4.9V
50:5.0V
十进制
CODE
CODE
(注2 )
(注1 )
1.
1
.0
A
2.
2
.1
B
3.
3
.2
C
4.
4
.3
D
5.
5
.4
E
SOT-23
SOT-23-3
6.
6
.5
F
.6
G
.7
H
.8
J
.9
K
注:1。代表了检测电压的整数
2.代表的检测电压的十进制数
记号
例如:
81N27
3
N: N沟道
电压编码
2HN摹
2
1
PIN码
G:无卤
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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3 16
QW-R502-039,P
81CXXX/81NXXX
框图
CMOS IC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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4 16
QW-R502-039,P
81CXXX/81NXXX
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
参数
符号
V
IN
I
OUT
CMOS IC
评级
单位
输入电压
12
V
输出电流
50
mA
CMOS
V
SS
-0.3 ~ V
IN
+0.3
V
输出电压
V
OUT
N沟道开漏
V
SS
-0.3 ~ 9
V
SOT-223
800
SOT -23 / SOT- 23-3
150
功耗
P
D
mW
SOT-89
500
TO-92
300
工作温度
T
OPR
-30 ~ +85
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +125
°C
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到外壳
SOT-223
SOT -23 / SOT- 23-3
SOT-89
TO-92
符号
θ
JC
评级
20
200
45
100
单位
° C / W
电气特性
(T
A
=25℃)
检测电压( 1.0V 〜 1.9V )
参数
符号
检测电压
迟滞范围
工作电压
电源电流
N沟道
输出电流
P-通道
I
OUT
ΔV
DF
ΔT
OPR ×
V
DF
电路
1
1
1
2
3
4
测试条件
V
DF
V
HYS
V
IN
I
SS
V
DF
=1.6V ~ 6.0V
V
IN
=1.5V
V
IN
=5.0
V
DS
=0.5V, V
IN
=1.0V
V
DS
=2.1V, V
IN
=8.0V
( CMOS输出)
典型值
最大单位
V
DF
(T)
V
DF
(T)
V
DF
(T)
V
×0.98
×1.02
V
DF
V
DF
V
DF
V
×0.02 ×0.05 ×0.08
0.7
10.0
V
0.9
2.6
μA
2.0
4.2
μA
2.2
mA
-15.4
±100
mA
PPM /°C的
200
ms
V
DF
温度特性
短暂的延迟时间
(V
DR
V
OUT
反转)
t
DLY
*
5
V
IN
从变化
0.6V ~ 10V
50
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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5 16
QW-R502-039,P
相关元器件产品Datasheet PDF文档

8PCXXG-P-T92-E-B

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
2 UTC-IC

8PCXXG-P-T92-E-K

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
2 UTC-IC

8PCXXG-P-T92-E-R

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
20 UTC-IC

8PCXXG-Q-AA3-B-R

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
3 UTC-IC

8PCXXG-Q-AB3-E-R

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
3 UTC-IC

8PCXXG-Q-AE2-2-R

VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
暂无信息
2 UTC-IC
    8PCXXG-P-T92-D-R
    应用领域和描述

    VOLTAGE DETECTORS WITH BUILT-IN DELAY TIME
    借助内置的延迟时间的电压检测器

    总16页 (519K) UNISONIC TECHNOLOGIES
    UNISONIC TECHNOLOGIES
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