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JAN1N751CUR  JAN1N754BUR  JAN1N752UR-1  JAN1N752BUR-1  JAN1N752DURTR-1  JAN1N752UR  JAN1N752A  JAN1N752AURTR  JAN1N752AUR-1  JAN1N751CURTR-1  
UTC8050S 低压大电流小信号NPN晶体管 (LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR)
.型号:   UTC8050S
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描述: 低压大电流小信号NPN晶体管
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
文件大小 :   80 K    
页数 : 2 页
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品牌   UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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100%
UTC 8050S
NPN外延硅晶体管
低压大电流
小信号NPN
晶体管
描述
该UTC8050S是一款低电压高电流小信号
NPN晶体管,专为B类推挽音频
放大器和通用应用。
1
特点
*集电极电流高达700mA
*集电极 - 发射极电压高达20 V
*为了配合UTC 8550S
1 :发射器
2 :收藏家
TO-92
3 :基本
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
集电极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
T
j
T
英镑
价值
30
20
5
1
700
150
-65 ~ +150
单位
V
V
V
W
mA
°C
°C
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益(注)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
的hFE
1
hFE2
hFE3
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
f
T
COB
测试条件
Ic=100µA,I
E
=0
Ic=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,Ic=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,Ic=0
V
CE
=1V,Ic=1mA
CE
= 1V , IC = 150毫安
V
V
CE
=1V,Ic=500mA
Ic=500mA,I
B
=50mA
Ic=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=1V,Ic=10mA
V
CE
=10V,Ic=50mA
V
CB
=10V,I
E
=0
f=1MHz
30
20
5
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
nA
1
100
100
120
40
110
400
0.5
1.2
1.0
100
9.0
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
V
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES
有限公司
1
QW-R201-011,A
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