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UTC9012 PNP外延硅晶体管 (PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR)
.型号:   UTC9012
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描述: PNP外延硅晶体管
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
文件大小 :   101 K    
页数 : 2 页
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品牌   UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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100%
UTC 9012
PNP外延硅晶体管
1W的输出放大器
在B类食收音机
推拉操作
特点
*高总功耗。 ( 625mW )
*高集电极电流。 ( -500mA )
*优异的线性度HFE
*为了配合UTC 9013
1
TO-92
1 :发射器
2 :基本
3 :收藏家
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
Pc
T
j
T
英镑
等级
-40
-20
-5
-500
625
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
hFE1
hFE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
测试条件
Ic=-100µA,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
= -100μA , IC = 0
V
CB
=-25V,I
E
=0
V
EB
=-3V,I
C
=0
V
CE
=-1V,Ic=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-500mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-10mA
-40
-20
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
64
40
-0.6
120
90
-0.18
-0.95
-0.67
-100
-100
300
-0.6
-1.2
-0.7
V
V
V
中hFE1分类
范围
D
64-91
E
78-112
F
96-135
G
112-166
H
144-202
I
190-300
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD 。
1
QW-R201-029,A
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