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Y-CONC-R606MCU2L-2000-B  Y-CONC-R602SRJ2S-2000-C  Y-CONC-R602U-MF4B-2000-A  Y-CONC-R602S-MH5A-2000-A  Y-CONC-R606MCU2L-2000-C  Y-CONC-R602UFE6P-2000-C  Y-CONC-R602U-MD5B-2000-A  Y-CONC-R602SRJ6P-2000-B  Y-CONC-R602UCU2M-2000-B  Y-CONC-R426MFE2L-2000-B  
BUD700D-SMD 硅NPN高电压开关晶体管 (Silicon NPN High Voltage Switching Transistor)
.型号:   BUD700D-SMD
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描述: 硅NPN高电压开关晶体管
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
文件大小 :   97 K    
页数 : 8 页
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品牌   VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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100%
BUD700D
威世德律风根
最大热阻
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
5
单位
K / W
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
晶体管
集电极截止电流
测试条件
符号
I
CES
I
CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEW
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
400
11
0.1
0.9
10
10
4
500
0.2
1
典型值
最大
50
0.5
单位
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V ;牛逼
= 150
°
C
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 300毫安; L = 125 mH的;
电压(图1)
I
措施
= 100毫安
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
基射极饱和电压
I
C
= 0.3 A;我
B
= 0.1 A
直流正向电流传输比
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 0.3 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2 A
集电极 - 发射极电压工作
V
S
= 50 V ; L = 1 mH的;我
C
= 2 A;
I
B1
= 0.7 A; -I
B2
= 0.2 A;
–V
BB
= 5 V
动态饱和电压
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 1
m
s
y
g
I
C
= 1 ;我
B
= 0.2 A; T = 3
m
s
增益带宽积
I
C
= 200毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1 MHz的
续流二极管
正向电压
I
F
= 0.7 A
m
A
mA
V
V
V
V
6
V
15
4
4
V
V
兆赫
V
F
1.2
V
开关特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
测试条件
特定应用切换时间
与Nylos3测
电阻性负载(图2)
启动时间
I
C
= 330毫安;我
B1
= 85毫安;
–I
B2
= 170毫安; V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
符号
t
x
t
on
t
s
t
f
典型值
最大
0.75
0.25
3
0.4
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (8)
文档编号86505
第1版, 20 -JAN- 99
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