电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
G5131-28T11U  G5131-28T11UF  G5131-29T11U  G5131-30T21U  G5131-29T21UF  G5131-29T11UF  G5131-30T11UF  G5131-28T21U  G5131-28T21UF  G5131-30T11U  
BUD700D-SMD 硅NPN高电压开关晶体管 (Silicon NPN High Voltage Switching Transistor)
.型号:   BUD700D-SMD
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 硅NPN高电压开关晶体管
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
文件大小 :   97 K    
页数 : 8 页
Logo:   
品牌   VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号BUD700D-SMD的Datasheet PDF文件第8页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
BUD700D
威世德律风根
典型特征
(T
= 25 ° C除非另有说明)
4
I
C
- 集电极电流( A)
100.00
P
合计
- 总功耗( W)
5K/W
10.00
3
0.1 ×1
C
& LT ;我
B2
< 0.5 ×1
C
V
CESAT
& LT ; 2 V
2
1.00
12.5K/W
0.10
25K/W
50K/W
R
thJA
=135K/W
0.01
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0
13723
100
200
300
400
500
13724
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
T
- 外壳温度(
°C
)
图3. V
CEW
- 图
2.00
1.75
I
C
- 集电极电流( A)
1.50
1.25
1.00
0.75
I
B
=0.05A
0.50
0.25
0
0
13725
图6. P
合计
与T
V
CESAT
- 集电极发射极饱和电压( V)
10.00
0.25A
0.2A
0.15A
0.1A
1.00
2A
1A
0.10
I
C
=0.2A
0.01
0.01
0.35A
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
0.10
1.00
10.00
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
13726
I
B
- 基本电流( A)
图4.我
C
与V
CE
100
100
图7. V
CESAT
与我
B
h
FE
- 正向直流电流传输比
h
FE
- 正向直流电流传输比
T
j
= 125°C
10
10V
5V
V
CE
=2V
1
0.01
10
75°C
25°C
V
CE
=2V
1
0.01
0.10
1.00
10.00
0.10
1.00
10.00
13728
13727
I
C
- 集电极电流( A)
I
C
- 集电极电流( A)
图5. ħ
FE
与我
C
图8. ħ
FE
与我
C
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (8)
文档编号86505
第1版, 20 -JAN- 99
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7