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描述:
GSG3801C  GSIB1540N  GSIB1580N  GSG3809X  GSIB1560N  GSIB1520N  
SI5935DC-T1-E3  (MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8)
.型号:   SI5935DC-T1-E3
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描述:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
文件大小 :   228 K    
页数 : 10 页
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品牌   VECTRON [ Vectron International, Inc ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
Si5935DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
0.4
50
0.3
I
D
= 250 µA
V
GS ( TH)
方差( V)
0.2
功率(W)的
40
30
0.1
20
0.0
10
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度(℃ )
时间(s)
阈值电压
100
I
DM
有限
限于由R
DS ( ON)
*
10
I
D
- 漏电流( A)
P(吨) = 0.0001
单脉冲功率
1
P(吨) = 0.001
I
D(上)
有限
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
P(吨)= 0.01
P(吨) = 0.1
P(吨)= 1
P(吨) = 10
DC
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90
°
C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间( S)
归瞬态热阻抗,结到环境
www.vishay.com
4
文档编号: 72220
S10-0936 -REV 。 C, 19 -APR- 10
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