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SI5935DC-T1-E3  (MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8)
.型号:   SI5935DC-T1-E3
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描述:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
文件大小 :   228 K    
页数 : 10 页
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品牌   VECTRON [ Vectron International, Inc ]
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AN812
Vishay Siliconix公司
双通道1206-8 ChipFETr功率MOSFET推荐
焊盘图形性能和热性能
介绍
新型Vishay Siliconix的ChipFETs在无铅1206-8
包装采用了同样的轮廓流行1206-8电阻
和电容器,但提供了真正的力量的所有性能
半导体器件。该1206-8 ChipFET具有相同的
足迹作为LITTLE FOOTR TSOP- 6的主体,并且可以
被认为是一无引线的TSOP -6为目的的可视化的
电路板面积,但其散热性能对比熊
具有大得多的SO-8 。
本技术笔记讨论了双ChipFET 1206-8
引脚输出,封装外形,垫图案,评估板
布局,和热性能。
80万
25万
43万
18万
10 MIL
26万
引脚输出
图2中。
足迹随着铜传播
图1显示了引脚输出的说明和引脚1标识
对于双通道1206-8 ChipFET设备。该引脚输出为
类似的TSOP -6结构中,有两个附加的漏极
销,以提高功率耗散,因而热
性能。该装置的腿很短,再次
帮助减少向外部散热片/印刷电路板的热路径
并允许更大的管芯被安装在设备如果必要的。
双1206-8 ChipFET
S
1
G
1
S
2
G
2
在图2中与铜焊盘图案扩频所示
提高的漏极连接的热区(引脚5和引脚
6 ,引脚7和引脚8 ),而基本的范围内剩余
足迹。漏铜面积为0.0019平方英寸或
1.22平方毫米。这将有助于功耗的路径走
从设备(通过铜引线框架),并进入到
主板和机箱外部(如适用)的双通道器件。
在加入另外的铜的面积和/或增加通孔的
到其他板层将进一步提高性能。
这种方法的一个例子是在Vishay的实施
Siliconix的评估板将在下一节描述
(图3) 。
D
1
D
1
D
2
D
2
THE VISHAY SILICONIX评价
板为双1206-8
图1 。
对于封装尺寸见1206-8 ChipFET包装
外形图( http://www.vishay.com/doc?71151 ) 。
BASIC垫图案
其尺寸基本焊盘布局显示在应用
需要注意826 ,
推荐最小垫图案用大纲
制图
ACCESS
Vishay Siliconix公司
的MOSFET ,
耗散功率MOSFET的应用程序,而是权力
半导体的性能要求更高的铜焊盘
区域,尤其是用于漏极引线。
文档编号: 71127
12-Dec-03
双ChipFET 1206至1208年评估板措施0.6
通过0.5英寸及其铜焊盘图案包括一个增高垫的
围绕每两个漏极的区域上的顶副作用导致
约0.0246平方英寸或15.87平方毫米,和通孔
通过加在电路板的底部,再以一
大约板尺寸最大的铜焊盘面积
维度,分成两对每个水渠。外
封装外形是8脚DIP ,这将使测试
要使用的插座,以帮助检测。
在这款主板的1206-8的散热性能一直是
同的结果,在下一个页面上进行测量。该
测试包括用最小比较推荐
足迹评估板上尺寸PCB和业界
标准一平方英寸FR4 PCB铜两侧
董事会。
www.vishay.com
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