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描述:
SN65C3221DBR  SIM1-1515-SIL4  SI6463BDQ  SIM1-1524-SIL4  SI4888DY  SI4340DY  SI3588DV  SI9986  SIM1-2412-SIL4  SIO1000-JV  
SI5935DC-T1-E3  (MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8)
.型号:   SI5935DC-T1-E3
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描述:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
文件大小 :   228 K    
页数 : 10 页
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品牌   VECTRON [ Vectron International, Inc ]
购买 :   
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100%
AN812
Vishay Siliconix公司
板前
回到局
ChipFETr
vishay.com
网络连接gure 3 。
热性能
结至脚热阻(包
性能)
测量作为用于1206-8 ChipFET热性能
结到脚热阻30_C / W的典型, 40_C / W的
最大的双通道器件。该“脚”是漏极引线的
装置,它与所述主体相连接。这是相同的双
SO - 8包r
QJF
性能的壮举成为可能
缩短引线的点只有一个,他们变得
小部分的总占用面积。
结至环境热阻
(取决于PCB尺寸)
典型的ř
qJA
对于双通道1206-8 ChipFET是
90_C / W的稳定状态中,向所述SO -8。最大额定值
是110_C / W为1206-8和SO- 8两种。两种封装
对1“方板相媲美的热性能
足迹与具有季的1206-8双包
体区域,在考虑电路板面积,当一个显著因子。
检测
为了进一步有助于比较,图4示出了ChipFET 1206-8
在两个不同的电路板尺寸双热性能和
三种不同的垫patterns.The结果显示热
表现出稳定的状态,并产生一个图形
考虑如何增加铜焊盘面积的漏极的
连接可以提高散热性能。该
的R测得的稳态值
qJA
对于双1206-8
ChipFET是:
1 )推荐的最小焊盘图形(参见
如图2所示)上的评估电路板尺寸
在×0.6 0.5 。
2 )该评估板与焊盘图形
在图3中说明。
3 )行业标准1“方与PCB
最大铜两侧。
www.vishay.com
结果表明,大幅度减少所用的作
通过增加铜漏极区域的热阻。在这
例如,而不必达到一个57_C / W的还原
增加了电路板的尺寸。如果越来越多的电路板尺寸是
选项,通过所获得的进一步38_C / W的还原
从漏极上的较大的1 “方形最大化铜
PCB 。
200
160
热阻(℃ / W)的
分钟。脚印
双EVB
120
80
40
1 “广场PCB
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
时间(秒)
图4中。
双1206-8 ChipFET
摘要
热的结果为双通道1206-8 ChipFET
包显示相同的功耗表现
用足迹减少80%的SO-8 。精心设计
包已经允许要达到这种性能。
短引线使芯片尺寸最大化和热
电阻要的TSOP- 6的范围内降低
车身尺寸。
185_C/W
128_C/W
90_C/W
关联文档
1206-8 ChipFET单热性能, AN811 ,
文档编号: 71127
12-Dec-03
2
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