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VVC1/VVC2
压控晶体振荡器
特点
VCXO采用CMOS输出
小型5.0× 7.0 ×1.8 mm封装
输出频率为66 MHz的
5.0或3.3 V工作电压
低抖动< 6 PS有效值,女
o
>12MHz
三态输出的测试和调试电路板
0/70或-40/85
°C
工作温度
密封陶瓷SMD封装
该VVC1压控晶体振荡器
产品符合RoHS指令
和无铅组装完全兼容
应用
SONET / SDH / DWDM
以太网,千兆以太网
的xDSL / PCMCIA卡
ESD二极管
数字视频
宽带接入
Vc
输入
卜FF器
产量
缓冲器/
三州
f
O
描述
Vectron公司VVC1压控晶体
振荡器(VCXO )为石英稳定化的方
与CMOS输出波发生器进行测试
在CMOS和TTL ( 5.0伏操作)逻辑电平。
该VVC1使用造成根本性的晶体
低抖动性能和单片IC哪些
提高了可靠性并降低了成本。
威克国际267洛厄尔路,哈德森NH 03051
联系电话: 1-88 - VECTRON - 1
电子邮件: vectron@vectron.com
VVC1压控晶体振荡器
性能特点
表1.电气性能
参数
频率
电源电压
1
(+5.0 V)
(+3.3 V)
电源电流
(+5.0 V)
(+3.3 V)
输出逻辑电平
输出逻辑高电平
2
输出逻辑低电平
2
转换时间
上升时间
2
下降时间
2
对称或占空比
3
工作温度(订货
选项​​)
共拉动范围(订货
选项​​)
Or
绝对拉范围
对于APR测试条件( + 5V选项)
对于APR测试条件( + 3.3V选项)
增益传输(见图3 )
控制电压漏电流
控制电压带宽( -3dB )
包装尺寸
符号
f
O
V
DD
I
DD
1.544
4.750
3.135
典型
5.0
3.3
最大
65.536
5.250
3.465
55
40
单位
兆赫
V
mA
V
OH
V
OL
t
R
t
F
符号
0.9*V
DD
0.1V
DD
5
5
55
V
V
ns
ns
%
°C
PPM
45
50
0/70或-40/85
± 50 , ±100或±150
± 50 ,± 80%或±100
V
C
V
C
I
VCXO
BW
0.5
0.3
积极
4.5
3.0
±1
10
5.0 x 7.0 x 1.8
V
V
PPM / V
uA
千赫
mm
1.一个0.01uF的和一个0.1uF的电容应尽量靠近电源地(地)的建议。
2.图1中定义了这些参数。图2示出根据该等效5栅极的TTL负载和操作条件
这些参数进行测试并指定。
3.对称性被定义为( ON时间/期限与VS = 1.4 V的TTL和VS = 2.5 V的CMOS , 5伏特运行, VS = 1.65V
3.3伏操作。
t
R
80
%
t
F
I
DD
6
V
DD
+
-
2
5
3
650Ω
Vs
20
%
准时
.
1
µ
F
.01
µ
F
I
C
V
C
1
+
-
4
15pF
1.8k
图1.输出波形
图2.典型输出测试条件为(25± 5℃)
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VVC1压控晶体振荡器
大纲图,焊盘布局和引脚输出
英寸/ [毫米}
针#
1
2
3
4
5
6
符号
V
C
NC或三态
GND
f
O
三态或NC
V
DD
功能
控制电压
无连接或三态
输出频率
逻辑低输出禁用
逻辑高或无连接使输出波形
电源电压
磁带和卷轴
J
F
D
A
E
C
G
B
L
I
H
K
磁带和卷轴尺寸(mm )
带尺寸
产品
A
B
C
D
E
VVC1
12
5.5
1.5
4
8
卷轴尺寸
F
G
H
1.78
20.6
13
I
55
J
6
K
12.4
L
178
#每
REEL
500
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VVC1压控晶体振荡器
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值的应力会永久损坏设备。实用
操作没有在这些暗示或在过量的条件的任何其它条件表示在
该数据表的操作部分。暴露在绝对最大额定值工作会
器件的可靠性产生不利影响。
表2.绝对最大额定值
参数
符号
电源
V
DD
储存温度
TSTORAGE
电压控制范围
V
C
评级
6
-55/125
GND到V
DD
单位
VDC
°C
V
200.0
150.0
100.0
频率牵引( PPM )
50.0
0.0
-50.0
-100.0
-150.0
-200.0
0.30
0.60
0.90
1.20
1.50
1.80
2.10
2.40
2.70
3.00
控制电压(伏特)
图3.典型频率牵引与控制电压,提供35.328MHz输出, 3.3伏S
UPPLY
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VVC1压控晶体振荡器
可靠性
该VVC1能够满足以下资质测试。
表3. Environnemental合规
参数
机械冲击
机械振动
可焊性
格罗斯和精细泄漏
耐溶剂性
条件
MIL -STD- 883方法2002年
MIL -STD- 883方法2007
MIL -STD- 883方法2003
MIL -STD- 883方法1014
MIL -STD- 883方法2016年
操作注意事项
虽然ESD保护电路已经被设计到了VVC1 ,适当的预防措施应采取
搬运和安装时。六,采用人体模型和带电器件模型( CDM)的
ESD敏感试验和外观设计保护的评价。 ESD阈值取决于电路
参数用于定义模型。虽然没有全行业标准已经通过了清洁发展机制,一
电阻= 1.5kohms和电容标准HBM = 100pF电容被广泛使用,因此可以
用于比较的目的。
表4. ESD额定值
模型
人体模型
带电器件模型
最低
1500
1000
条件
MIL -STD- 883方法3115
JESD 22 - C101
建议IR简介
设备使用无铅环氧内置,也可以进行标准的无铅回流焊条件。
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