元器件型号: | BF998R |
生产厂家: | VISHAY TELEFUNKEN |
描述和应用: | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
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型号参数:BF998R参数 | |
生命周期 | Active |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.36 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型