BF998R [VISHAY]

N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode; N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型
BF998R
元器件型号: BF998R
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型

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型号参数:BF998R参数
生命周期Active
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.36
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
Base Number Matches1