元器件型号: | IRF640PBF |
生产厂家: | VISHAY TELEFUNKEN |
描述和应用: | Power MOSFET |
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型号参数:IRF640PBF参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 0.69 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 580 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Powers |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Power MOSFET
功率MOSFET