IRF640PBF [VISHAY]

Power MOSFET; 功率MOSFET
IRF640PBF
元器件型号: IRF640PBF
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Power MOSFET
功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:IRF640PBF参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级0.69
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)580 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Powers
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1