IRF820ASPBF [VISHAY]

Power MOSFET; 功率MOSFET
IRF820ASPBF
元器件型号: IRF820ASPBF
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Power MOSFET
功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
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型号参数:IRF820ASPBF参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time6 weeks
风险等级1.19
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1