IRFB11N50APBF [VISHAY]

Power MOSFET; 功率MOSFET
IRFB11N50APBF
元器件型号: IRFB11N50APBF
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Power MOSFET
功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:IRFB11N50APBF参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Not Recommended
IHS 制造商VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time9 weeks
风险等级7
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)275 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.52 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1