IRFR320 [VISHAY]

Power MOSFET; 功率MOSFET
IRFR320
元器件型号: IRFR320
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Power MOSFET
功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
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型号参数:IRFR320参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.07
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)160 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.1 A
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻1.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1