ATS19520LSNBTN-RSILPYU-A
Vibration-Tolerant Hall-Effect Transmission Speed and Direction Gear Tooth Sensor IC
暂无信息
ALLEGRO
IMW120R030M1H
IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体
INFINEON
AT24CM-U2HD-E
I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 2âMbit (262,144 x 8)
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
MICROCHIP
