SI6926ADQ [VISHAY]

Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET; 双N沟道2.5 V G -S MOSFET
SI6926ADQ
元器件型号: SI6926ADQ
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET
双N沟道2.5 V G -S MOSFET

PDF文件: 总5页 (文件大小:72K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:SI6926ADQ参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.29
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1