SI7462DP [VISHAY]

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET; N沟道200 -V (D -S )的MOSFET
SI7462DP
元器件型号: SI7462DP
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
N沟道200 -V (D -S )的MOSFET

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型号参数:SI7462DP参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY SILICONIX
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.89
雪崩能效等级(Eas)1.8 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)2.6 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON