SI7540DP-T1-GE3 [VISHAY]

N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET; N和P通道12 -V (D -S )的MOSFET
SI7540DP-T1-GE3
元器件型号: SI7540DP-T1-GE3
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
N和P通道12 -V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲
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型号参数:SI7540DP-T1-GE3参数
是否无铅 不含铅
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY SILICONIX
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.42
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.6 A
最大漏极电流 (ID)7.6 A
最大漏源导通电阻0.017 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1