SI7634BDP-T1-GE3 [VISHAY]

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET; N通道30 -V (D -S )的MOSFET
SI7634BDP-T1-GE3
元器件型号: SI7634BDP-T1-GE3
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
N通道30 -V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲
PDF文件: 总13页 (文件大小:478K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:SI7634BDP-T1-GE3参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商VISHAY SILICONIX
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.19
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)45 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)22.5 A
最大漏源导通电阻0.0054 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)70 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1